先用原型号和候选型号做一对一比对，避免只拿封装名替代完整型号。
封装现货
PDFN-8 封装现货型号与清单询价
围绕 PDFN-8 封装聚合公开现货和可询型号，方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 642 个公开可查询型号。
642匹配型号
8常见品牌
4相关分类
按品牌继续
常用动作
封装核对PDFN-8 只代表封装识别入口，正式采购前仍需确认完整 MPN、引脚数、温度等级、包装、批号和制造商资料。
同封装核对
PDFN-8 同封装兼容说明
同封装只代表初筛入口，不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。
核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。
电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。
以官方 PDF 和修订版本为准，页面资料只作为采购初筛入口。
同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。
把不能替代的参数写入清单备注，减少业务和工程反复确认。
购物路径
PDFN-8 封装购物路径
把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作，适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
进入实时筛选
按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。
保留候选型号
把优先样本带入对比或清单，避免从搜索入口反复重新查找。
统一核价
业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。
资料复核
采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。
型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
WSD90P06DN56
WINSOK(微硕)
WSD90P06DN56，WINSOK(微硕)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，5,000件现货，WSD90P06DN56是具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD90P06DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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5,000
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查看详情 >MASW-007107-TR3000
MACOM
MASW-007107-TR3000，MACOM，射频芯片/天线 / 射频开关，PDFN-8封装，2,360件现货，MASW-007107是一款采用无铅2mm8引脚PDFN封装的宽带GaAspHEMTMMICSPDT开关。典型应用包括WLANIEEE802.11a+b/g和MIMO，以及其他需要超快速切换速度的测试设备。设计用于低插入损耗，此SPDT开关在8射频芯片/天线 > 射频开关
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2,360
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查看详情 >NPA1003QA
MACOM
NPA1003QA，MACOM，射频芯片/天线 / RF放大器，PDFN-8封装，90件现货，NPA1003QA 是一种基于硅的氮化镓功率放大器，优化用于20-1500MHz的操作。该放大器设计用于饱和和线性操作，输出功率可达5W（37dBm），封装在无铅4mm 16引脚QFN塑料封装中。射频芯片/天线 > RF放大器
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90
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查看详情 >40N06D
HL(富海微)
40N06D，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，40N06D是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40N06D符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备完整功能且可靠性经过验证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AP40P04G
ALLPOWER(铨力)
AP40P04G，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，特性：40V，-40A。 RDS(ON) < 13mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 22mΩ @ VGS = -4.5V。 先进沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >WNMD2162-8/TR
WILLSEMI(韦尔)
WNMD2162-8/TR，WILLSEMI(韦尔)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，2个N沟道 耐压:20V 电流:4.8A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AP68N06G
ALLPOWER(铨力)
AP68N06G，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，AP68N06系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可广泛应用于各种电源领域。DFN5*G封装在所有采用红外回流焊技术的商业工业表面贴装应用中广受欢迎，并且由三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AON6508
AOS
AON6508，AOS，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，N-CH三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AON6240
AOS
AON6240，AOS，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，N-CH三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TSM680P06DPQ56RLG
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
TSM680P06DPQ56RLG，Taiwan Semiconductor(台湾半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，2个P沟道 耐压:60V 电流:12A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >20N06D
HL(富海微)
20N06D，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，20N06D是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。20N06D符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备全面的功能可靠性。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AGM210MAP
AGMSEMI(芯控源)
AGM210MAP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，AGM210MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AGM30P05AP
AGMSEMI(芯控源)
AGM30P05AP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，AGM30P05AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AGM18N10AP
AGMSEMI(芯控源)
AGM18N10AP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，AGM18N10AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >PK632BA
NIKO-SEM(尼克森)
PK632BA，NIKO-SEM(尼克森)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，N沟道 30V 78A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AGM612AP
AGMSEMI(芯控源)
AGM612AP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，AGM612AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AGM6014AP
AGMSEMI(芯控源)
AGM6014AP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，AGM6014AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AGM403A1
AGMSEMI(芯控源)
AGM403A1，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，BLDC(无刷电机)推荐料,Vds=40V Id=120A Rds=2.7mΩ(3.6mΩ最大)DFN5*6封装；三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >APG077N01G
ALLPOWER(铨力)
APG077N01G，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，特性：100V，90A。 RDS(ON) < 7.7mΩ @VGS = 10V (典型值: 6.2mΩ)。 RDS(ON) < 10mΩ @VGS = 4.5V (典型值: 8.0mΩ)。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AGM628MAP
AGMSEMI(芯控源)
AGM628MAP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，AGM628MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AGM60P100A
AGMSEMI(芯控源)
AGM60P100A，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，AGM60P100A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AGM405Q
AGMSEMI(芯控源)
AGM405Q，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，通用料（低压MOSFET 电源、储能电源等）,Vds=40V Id=55A Rds=5.7mΩ(8.0mΩ最大)DFN5x6封装；三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >PKC26BB
NIKO-SEM(尼克森)
PKC26BB，NIKO-SEM(尼克森)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，1个N沟道 耐压:30V 电流:151A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >HD303N030S
R+O(宏嘉诚)
HD303N030S，R+O(宏嘉诚)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，特性：VDS = 30V。 ID = 80A。 RDS(on)@VGS = 10V < 3.2mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 6mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：DC-DC转换器。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AGM405AP1
AGMSEMI(芯控源)
AGM405AP1，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，AGM405AP1将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >HD303N070S
R+O(宏嘉诚)
HD303N070S，R+O(宏嘉诚)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，HD303N070S三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >HD504N060SG
R+O(宏嘉诚)
HD504N060SG，R+O(宏嘉诚)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，HD504N060SG三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AGM30P14MBP
AGMSEMI(芯控源)
AGM30P14MBP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，AGM30P14MBP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >JMTG130P04A
JJW(捷捷微)
JMTG130P04A，JJW(捷捷微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，特性：VDS = -40V，ID = -35A。 RDS(ON) < 12.5mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 18.5mΩ @ VGS = -4.5V。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品认证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AP25P06Q
ALLPOWER(铨力)
AP25P06Q，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，特性：60V，-25A，RDS(ON) < 60mΩ @VGS = -10V，典型值50mΩ；RDS(ON) < 72mΩ @VGS = -4.5V，典型值60mΩ。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >APG024N04G
ALLPOWER(铨力)
APG024N04G，ALLPOWER(铨力)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，特性：40V，120A，RDS(ON) 2.4mΩ @VGS = 10V (典型值: 2.0mΩ)，RDS(ON) 3.2mΩ @VGS = 4.5V (典型值: 2.6mΩ)。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >HD304N090S
R+O(宏嘉诚)
HD304N090S，R+O(宏嘉诚)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，特性：VDS = 40V。ID = 40A。RDS(on)@VGS = 10V < 8.5mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 12mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：DC-DC转换器。负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >HD503N050S
R+O(宏嘉诚)
HD503N050S，R+O(宏嘉诚)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，HD503N050S三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >HD304N070SG
R+O(宏嘉诚)
HD304N070SG，R+O(宏嘉诚)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，特性：VDS = 40V。 ID = 48A。 RDS(on)@VGS = 10V < 6.5mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 8mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：DC-DC转换器。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >NP55N04D6
natlinear(南麟)
NP55N04D6，natlinear(南麟)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，NP55N04D6采用了独特优化的沟槽技术，可实现最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AGM40P55AP
AGMSEMI(芯控源)
AGM40P55AP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，AGM40P55AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >S4866D
HL(富海微)
S4866D，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，绿色器件；超低栅极电荷；先进的沟槽MOS技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >SVT036R0NL3TR
SILAN(士兰微)
SVT036R0NL3TR，SILAN(士兰微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，N沟道 耐压:30V 电流:58A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >NCE30P28Q
NCE(无锡新洁能)
NCE30P28Q，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，NCE30P28Q采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于电源管理。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AGM30P08AP
AGMSEMI(芯控源)
AGM30P08AP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，AGM30P08AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >ST10100LP5
NH(纽航)
ST10100LP5，NH(纽航)，二极管 / 肖特基二极管，PDFN-8封装，询盘确认库存，特性：金属硅结，多数载流子传导。 低功耗，高可靠性。 高正向浪涌能力，高可靠性。 高频工作。应用：低压、高频逆变器。 DC/DC转换器二极管 > 肖特基二极管
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查看详情 >TW110P03EF
TWGMC(迪嘉)
TW110P03EF，TWGMC(迪嘉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，P沟道/30V/110A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TW150N03EF
TWGMC(迪嘉)
TW150N03EF，TWGMC(迪嘉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，N沟道/30V/150A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >E040P013HL1
Existar(毅芯达)
E040P013HL1，Existar(毅芯达)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，1个P沟道，40V，63A，13mΩ@-10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >PTQ15C03
HT(金誉)
PTQ15C03，HT(金誉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，特性：低RDS(on)@VGS = 5V。5V逻辑电平控制。N + P双信道。PDFN3333封装。无铅，符合RoHS标准。应用：DC风扇。无刷电机三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >PTQ15C03B
HT(金誉)
PTQ15C03B，HT(金誉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围150℃。应用：DC风扇。 无刷电机三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >PTQ2025D
HT(金誉)
PTQ2025D，HT(金誉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，特性：低导通电阻和低传导损耗。 100%雪崩测试。应用：DC/DC转换器。 电机控制和驱动三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >PTQ3060
HT(金誉)
PTQ3060，HT(金誉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，特性：改进的dv/dt能力，高耐用性。最大结温范围150℃。应用：高端负载开关。电池开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >PTQ6002
HT(金誉)
PTQ6002，HT(金誉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >RC3633
RealChip(正芯半导体)
RC3633，RealChip(正芯半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，RC3633三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TSM150P03PQ33RGG
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
TSM150P03PQ33RGG，Taiwan Semiconductor(台湾半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，1个P沟道 耐压:30V 电流:36A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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查看详情 >TSM200N03DPQ33RGG
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
TSM200N03DPQ33RGG，Taiwan Semiconductor(台湾半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，2个N沟道 耐压:30V 电流:20A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >CMT3025DK
iCM(创芯微)
CMT3025DK，iCM(创芯微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，30V PDFN3*3封装MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >BRCS120P03ZC
BLUE ROCKET(蓝箭)
BRCS120P03ZC，BLUE ROCKET(蓝箭)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，PDFN5×6 封装 P 沟道场效应管 低电阻可最大地降低导电损耗；低栅极电荷，可实现快速切换；低热阻 电池管理。-30V -24A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >HD306P450S
R+O(宏嘉诚)
HD306P450S，R+O(宏嘉诚)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，特性：VDS = -60 V。 ID = -20 A。 RDS(on)@VGS = -10 V < 29 mΩ。 Trench Power LV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。 快速开关速度。应用：电源开关应用。 负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >HD303P180S
R+O(宏嘉诚)
HD303P180S，R+O(宏嘉诚)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，HD303P180S三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >HD303P250S
R+O(宏嘉诚)
HD303P250S，R+O(宏嘉诚)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，特性：VDS = -30 V。ID = -25 A。RDS(on)@VGS = -10 V < 16 mΩ。RDS(on)@VGS = -4.5V < 31 mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：电源开关应用三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >PTQ10HN03B
HT(金誉)
PTQ10HN03B，HT(金誉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，特性：低导通电阻和低传导损耗。100%雪崩测试。应用：高端负载开关。电池开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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HT(金誉)
PTQ40P40，HT(金誉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围：150°C。 100%雪崩测试。应用：电池和负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AGM418MAP
AGMSEMI(芯控源)
AGM418MAP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：18A/-18A 功率(Pd)：25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@10V,5A;20mΩ@-10V,-5A ; 栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >BRCS016N03ZC
BLUE ROCKET(蓝箭)
BRCS016N03ZC，BLUE ROCKET(蓝箭)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，PDFN5×6封装N沟道场效应管。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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R+O(宏嘉诚)
HD503N110D，R+O(宏嘉诚)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，特性：VDS = 30V。 ID = 80A。 RDS(on)@VGS = 10V < 5mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 6mΩ。 沟槽技术功率MOSFET。 低栅极电阻。应用：功率开关应用。 硬开关和高频电路三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >PTQ3006
HT(金誉)
PTQ3006，HT(金誉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，特性：低导通电阻和低传导损耗。 超低栅极电荷，降低驱动要求。应用：高端负载开关。 电池开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >30G20F
HL(富海微)
30G20F，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，30G20F 是具有高单元密度的高性能互补 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。30G20F 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 认证，具备全面的功三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >PGQ04N070
HT(金誉)
PGQ04N070，HT(金誉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，特性：快速开关能力。 稳健设计，具有更好的EAS性能。 超低导通电阻。应用：电池管理系统。 电机驱动器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >BRCS030N03ZC
BLUE ROCKET(蓝箭)
BRCS030N03ZC，BLUE ROCKET(蓝箭)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，低电阻可最大地降低导电损耗；低栅极电荷，可实现快速切换；低热阻用于电池管理，MB/NB/UMPC/VGA 高频负载点同步 Buck 变换器，联网直流-直流电力系统，负荷开关；30V 56A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TW50N03CC
TWGMC(迪嘉)
TW50N03CC，TWGMC(迪嘉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，N沟道/30V/50A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >BRCS060N04SZC
BLUE ROCKET(蓝箭)
BRCS060N04SZC，BLUE ROCKET(蓝箭)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，PDFN5×6 封装 N 沟道场效应管 电池管理，MB/NB/UMPC/VGA 高频负载点同步 Buck 变换器，联网直流-直流电力系统，负荷开关 40V 60A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >HD503N220D
R+O(宏嘉诚)
HD503N220D，R+O(宏嘉诚)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，特性：VDS = 30V。 ID = 35A。 RDS(on)@VGS = 10V < 13mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 20mΩ。 沟槽技术功率MOSFET。 低栅极电阻。应用：功率开关应用。 硬开关和高频电路三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >SL100N03R
Slkor(萨科微)
SL100N03R，Slkor(萨科微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，此功率MOSFET采用先进的沟槽技术生产。该器件具有出色的栅极电荷和导通电阻RDS(on) ，可显著降低开关和传导损耗。因此，它非常适合用于AC/DC电源转换、负载开关和工业电源应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TW100N03EF
TWGMC(迪嘉)
TW100N03EF，TWGMC(迪嘉)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，N沟道/30V/100A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AGM4025AP
AGMSEMI(芯控源)
AGM4025AP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：125A 功率(Pd)：74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.3mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：23nC@10V 输入电容(Ci三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >LSGNE03R098WB
LONTEN(龙腾半导体)
LSGNE03R098WB，LONTEN(龙腾半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用分裂栅沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >SDM34AG10K
SINEDEVICE(宇宏微)
SDM34AG10K，SINEDEVICE(宇宏微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，特性：超低导通电阻。 低栅极电荷。 高电流能力。 增强型体二极管性能。 绿色产品（符合RoHS标准），无铅。 100%进行UIS测试，100%进行栅极电阻测试三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >SM5501
HICHON(海川)
SM5501，HICHON(海川)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，SM5501 采用了先进的沟槽 MOSFET 技术和低电阻封装，可提供极低的 RDS(oN) 。该器件是负载开关和电池保护应用的理想选择。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AGM308AP
AGMSEMI(芯控源)
AGM308AP，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，AGM308AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >2KJ7103DFN
KEXIN(科信)
2KJ7103DFN，KEXIN(科信)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，P沟道 -30V -6A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AON6240(UMW)
UMW(友台半导体)
AON6240(UMW)，UMW(友台半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，场效应管（MOSFET）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >30G20D
HL(富海微)
30G20D，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，30G20D 是高性能互补型 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，具有高单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。30G20D 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 认证，具备完整的三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >NP100N03D6-N-G
natlinear(南麟)
NP100N03D6-N-G，natlinear(南麟)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，NP100N03D6采用了独特优化的沟槽技术，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >封装选购
PDFN-8 封装选购常见问题
PDFN-8 封装在华芯购有多少可查询型号？
当前 PDFN-8 封装页收录 642 个公开可查询型号，本页优先展示 3 个现货样本。
筛选 PDFN-8 封装型号时还要核对什么？
除封装外，还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。
PDFN-8 封装找不到完全一致型号怎么办？
可以从 WINSOK(微硕)、MACOM、HL(富海微)、ALLPOWER(铨力)、WILLSEMI(韦尔) 或 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)、射频芯片/天线 > 射频开关、射频芯片/天线 > RF放大器、二极管 > 肖特基二极管 继续筛选，也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围，由业务按同封装和关键参数协助确认。