PACKAGE STOCK

FBGA 封装现货型号与BOM询价

围绕 FBGA 封装聚合公开现货和可询型号，方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 122 个公开可查询型号。

进入实时筛选候选转 BOM对比前 5 个
122匹配型号 8常见品牌 7相关分类
按品牌继续
micron(镁光)34SAMSUNG(三星半导体)19HYNIX(海力士)3KIOXIA(铠侠)3SANDISK(闪迪)3SAMSUNG/三星2XILINX2CXMT(长鑫)1
按分类继续
存储器 > DDR SDRAM47存储器 > eMMC15现货库存12存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)2存储器 > NAND FLASH2存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)1存储器 > nvSRAM(掉电保持)1
采购提示
批量转 BOM提交封装需求实时筛选
封装核对FBGA 只代表封装识别入口，正式采购前仍需确认完整 MPN、引脚数、温度等级、包装、批号和制造商资料。

PACKAGE COMPATIBILITY

FBGA 同封装兼容核对台

同封装只代表初筛入口，不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、PDF 证据和不可放宽条件放到同一张核对表里。

同封装对比 封装需求转 BOM 查看判断方法
完整MPN

先用原型号和候选型号做一对一比对，避免只拿封装名替代完整型号。

引脚/尺寸

核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。

关键参数

电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。

制造商PDF

以官方 PDF 和修订版本为准，页面资料只作为采购初筛入口。

数量交期

同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。

不可放宽

把不能替代的参数写入 BOM 备注，减少业务和工程反复确认。

样本候选
KLM8G1GETF-B041SAMSUNG(三星半导体) · FBGA-153转 BOMMT41K128M16JT-125IT:Kmicron(镁光) · FBGA-96转 BOMMT41K256M16TW-107:Pmicron(镁光) · FBGA-96转 BOM

PACKAGE DECISION

FBGA 封装核对指南

把封装页从“型号列表”变成采购员可执行的筛选台：先统一封装写法，再按品牌、类目、库存和资料把候选缩小到可核价范围。

80 现货样本 / 122 个可查询型号
可合并检索写法
FBGA
01

先识别封装写法

FBGA 可能会和 相近写法 同时出现在资料或BOM里，先统一封装关键词再筛型号。

02

再核对品牌与类目

当前样本覆盖 micron(镁光)、SAMSUNG(三星半导体)、HYNIX(海力士)、KIOXIA(铠侠)，常见分类包括 存储器 > DDR SDRAM、存储器 > eMMC、现货库存，避免只按封装忽略应用参数。

03

保留可替代候选

同封装型号可先暂存或对比，提交 BOM 时写明可接受品牌、参数范围和交期要求。

04

下单前复查资料

封装页是入口，最终仍需核对制造商 PDF、引脚数、尺寸图、批号、包装和检测资料。

按 FBGA 筛现货型号 对比候选型号 候选转 BOM 提交封装需求

RFQ HANDOFF

FBGA 封装采购备注模板

把入口页里的候选型号、品牌封装、不可放宽参数和交付要求整理成可提交备注，方便业务继续确认库存、替代边界和报价。

带备注提交 BOM 
采购入口：FBGA 封装
候选型号：KLM8G1GETF-B041 / MT41K128M16JT-125IT:K / MT41K256M16TW-107:P / MT41K256M16TW-107IT:P / K4B4G1646E-BCNB / K4B2G1646F-BCNB
品牌/制造商范围：micron(镁光) / SAMSUNG(三星半导体) / HYNIX(海力士) / KIOXIA(铠侠) / SANDISK(闪迪)
分类范围：存储器 > DDR SDRAM / 存储器 > eMMC / 现货库存 / 存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM) / 存储器 > NAND FLASH
封装线索：FBGA-153 / FBGA-96 / BGA-96 / FBGA / BGA-153
需求数量：请按型号填写目标数量、阶梯数量或年用量
不可放宽参数：完整MPN、品牌/制造商、封装、引脚、电压、电流、温度等级、认证、替代边界
可接受替代范围：请填写可接受品牌、同封装候选、国产替代或指定不可替代
交付要求：批号、包装、交期、检测资料、含税报价、付款和交付条件
公开库存和价格仅用于采购初筛，最终以业务人员确认报价为准

SOURCING PATH

FBGA 封装采购路径

把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作，适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。

品牌micron(镁光) / SAMSUNG(三星半导体) / HYNIX(海力士) / KIOXIA(铠侠) 封装FBGA-153 / FBGA-96 / BGA-96 / FBGA
01

进入实时筛选

按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。

02

保留候选型号

把优先样本带入对比或 BOM，避免从搜索入口反复重新查找。

03

统一核价

业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。

04

资料复核

采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。

进入实时筛选 对比前 4 个 候选转 BOM 提交FBGA 封装需求

BUYER ANSWER

同封装型号能直接替代吗？

不能直接判断。插件、SOIC-8、SOT-23、0603、SOP-8、SMD3225-4P 这类封装入口只适合初筛，正式替代还要逐项核对完整 MPN、引脚定义、外形尺寸、关键电气参数、温度等级、生命周期、制造商 PDF 和应用场景，并把原型号、候选型号、数量、交期和不可放宽参数一起提交 BOM 复核。

查看答案去处理
型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价

KLM8G1GETF-B041

SAMSUNG(三星半导体)

KLM8G1GETF-B041，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > eMMC，FBGA-153封装，107,982件现货，eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC的操作与MMC设备相同，因此它是使用行业标准的MMC协议v5.1对存储器进行简单的读写操作。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成
存储器 > eMMC
FBGA-153
107,982
询盘报价
查看详情 >

MT41K128M16JT-125IT:K

micron(镁光)

MT41K128M16JT-125IT:K，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，106,691件现货，1.35V DDR3L SDRAM设备是1.5V DDR3 SDRAM设备的低压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3 (1.5V) SDRAM数据手册规格。
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
106,691
询盘报价
查看详情 >

MT41K256M16TW-107:P

micron(镁光)

MT41K256M16TW-107:P，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，101,209件现货，商业级
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
101,209
询盘报价
查看详情 >

MT41K256M16TW-107IT:P

micron(镁光)

MT41K256M16TW-107IT:P，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，92,014件现货，DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3（1.5V）SDRAM（芯片版本：E）数据手册规格。
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
92,014
询盘报价
查看详情 >

K4B4G1646E-BCNB

SAMSUNG(三星半导体)

K4B4G1646E-BCNB，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，90,590件现货，K4B4G1646E-BCNB
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
90,590
询盘报价
查看详情 >

K4B2G1646F-BCNB

SAMSUNG(三星半导体)

K4B2G1646F-BCNB，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-96封装，81,096件现货，DDR3 SDRAM内存
存储器 > DDR SDRAM
BGA-96
81,096
询盘报价
查看详情 >

KLMAG1JETD-B041

SAMSUNG(三星半导体)

KLMAG1JETD-B041，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > eMMC，FBGA-153封装，80,320件现货，eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC操作与MMC设备相同，因此使用行业标准的MMC协议v5.1对内存进行简单的读写。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成。NAND区域（VDDF或VCC）需要3V电源
存储器 > eMMC
FBGA-153
80,320
询盘报价
查看详情 >

K4A4G165WF-BCTD

SAMSUNG(三星半导体)

K4A4G165WF-BCTD，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，78,824件现货，4Gb F-die x16 DDR4 SDRAM
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
78,824
询盘报价
查看详情 >

MT29F1G08ABAEAH4:E

micron(镁光)

MT29F1G08ABAEAH4:E，micron(镁光)，存储器 > NAND FLASH，FBGA封装，60,826件现货，MT29F1G08ABAEAH4:E
存储器 > NAND FLASH
FBGA
60,826
询盘报价
查看详情 >

H5AN4G8NBJR-VKC

SK Hynix/海力士

H5AN4G8NBJR-VKC，SK Hynix/海力士，现货库存，FBGA封装，50,000件现货
现货库存
FBGA
50,000
询盘报价
查看详情 >

MT41K64M16TW-107:J

micron(镁光)

MT41K64M16TW-107:J，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，45,550件现货，1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据表规格。
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
45,550
询盘报价
查看详情 >

H5CG48MEBDX014N

HYNIX(海力士)

H5CG48MEBDX014N，HYNIX(海力士)，存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)，FBGA封装，44,800件现货，H5CG48MEBDX014N
存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
FBGA
44,800
询盘报价
查看详情 >

KLM8G1GETF-B041006

SAMSUNG(三星半导体)

KLM8G1GETF-B041006，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > eMMC，FBGA封装，30,680件现货，KLM8G1GETF-B041006
存储器 > eMMC
FBGA
30,680
询盘报价
查看详情 >

SDINBDG4-8G

SANDISK(闪迪)

SDINBDG4-8G，SANDISK(闪迪)，存储器 > eMMC，BGA-153封装，29,080件现货，SDINBDG4-8G
存储器 > eMMC
BGA-153
29,080
询盘报价
查看详情 >

CXDB4CBAM-MK-A

CXMT(长鑫)

CXDB4CBAM-MK-A，CXMT(长鑫)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-200封装，27,480件现货，2GB LPDDR4X 同步动态随机存取存储器 停产
存储器 > DDR SDRAM
BGA-200
27,480
询盘报价
查看详情 >

MT41K128M16JT-125:K

micron(镁光)

MT41K128M16JT-125:K，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，25,228件现货，2-Gbit(128M × 16bit)，工作电压：1.35V
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
25,228
询盘报价
查看详情 >

MT41K512M8DA-107:P

micron(镁光)

MT41K512M8DA-107:P，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，23,567件现货，4Gb：X4、x8、X16 DDR3L 同步动态随机存取存储器
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
23,567
询盘报价
查看详情 >

K4A8G165WC-BCWE

SAMSUNG(三星半导体)

K4A8G165WC-BCWE，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，22,400件现货，特性：支持连接测试模式（TEN）
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
22,400
询盘报价
查看详情 >

S34MS02G200BHI000

SkyHigh/天海存储

S34MS02G200BHI000，SkyHigh/天海存储，现货库存，FBGA封装，21,878件现货
现货库存
FBGA
21,878
询盘报价
查看详情 >

MT40A256M16GE-083E:B

micron(镁光)

MT40A256M16GE-083E:B，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，21,732件现货，停产 MT40A256M16GE-083E:B
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
21,732
询盘报价
查看详情 >

MT40A512M16LY-062E:E

micron(镁光)

MT40A512M16LY-062E:E，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，20,050件现货，特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V 125mV + 250mV,片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O。在TC温度范围内8192周期的刷新时间:-40°C至85°C时为64
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
20,050
询盘报价
查看详情 >

H9CCNNN8GTALAR-NVD

SKHYNIX/海力士

H9CCNNN8GTALAR-NVD，SKHYNIX/海力士，现货库存，FBGA封装，20,000件现货
现货库存
FBGA
20,000
询盘报价
查看详情 >

KLM8G1GEUF-B04Q

SAMSUNG(三星半导体)

KLM8G1GEUF-B04Q，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > eMMC，BGA-153封装，19,440件现货，KLM8G1GEUF-B04Q
存储器 > eMMC
BGA-153
19,440
询盘报价
查看详情 >

K4F6E3S4HM-TFCL

SAMSUNG(三星半导体)

K4F6E3S4HM-TFCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，17,920件现货，K4F6E3S4HM-TFCL
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
17,920
询盘报价
查看详情 >

MT53E512M32D1ZW-046WT:B

micron(镁光)

MT53E512M32D1ZW-046WT:B，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，TFBGA-200封装，17,600件现货，特性：超低电压核心和 I/O 电源: -VDD1 = 1.70-1.95V；标称值 1.80V。VDD2 = 1.06-1.17V；标称值 1.10V。VDDQ = 0.57-0.65V；标称值 0.60V 或 V
存储器 > DDR SDRAM
TFBGA-200
17,600
询盘报价
查看详情 >

K4AAG165WB-MCTD

SAMSUNG(三星半导体)

K4AAG165WB-MCTD，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA-96封装，17,396件现货，K4AAG165WB-MCTD
存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA-96
17,396
询盘报价
查看详情 >

MT40A512M16TB-062E:R

micron(镁光)

MT40A512M16TB-062E:R，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，17,003件现货，特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
17,003
询盘报价
查看详情 >

IS43TR16128DL-125KBLI-TR

ISSI(美国芯成)

IS43TR16128DL-125KBLI-TR，ISSI(美国芯成)，存储器 > DDR SDRAM，TFBGA-96封装，16,500件现货，128Mx16 DDR3 SDRAM，支持1600MHz，具有1.5V±0.075V的标准电压和1.35V±0.1V的低电压选项。支持异步复位和TDQS功能。
存储器 > DDR SDRAM
TFBGA-96
16,500
询盘报价
查看详情 >

MT40A1G8SA-075:E

micron(镁光)

MT40A1G8SA-075:E，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-78封装，16,327件现货，MT40A1G8SA-075:E
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-78
16,327
询盘报价
查看详情 >

K4B4G1646E-BYMA

SAMSUNG(三星半导体)

K4B4G1646E-BYMA，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，15,783件现货，4Gb E型裸片，x16 DDR3L SDRAM
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
15,783
询盘报价
查看详情 >

MT47H64M16NF-25E:M

micron(镁光)

MT47H64M16NF-25E:M，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-84封装，15,750件现货，1Gb DDR2 SDRAM，支持4n位预取架构，具有差分时钟输入和输出数据同步功能。提供8个内部存储库以实现并发操作，支持可编程的读写突发长度。工作电压为1.8V ± 0.1V。
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-84
15,750
询盘报价
查看详情 >

GDQ2BFAA-WQ

GigaDevice(兆易创新)

GDQ2BFAA-WQ，GigaDevice(兆易创新)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-96封装，15,380件现货，GDQ2BFAA-WQ
存储器 > DDR SDRAM
BGA-96
15,380
询盘报价
查看详情 >

KLM4G1FETE-B041

SAMSUNG(三星半导体)

KLM4G1FETE-B041，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > eMMC，BGA-153封装，14,246件现货，eMMC是采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC的操作与MMC设备相同，因此它是使用行业标准的MMC 5.1版协议对存储器进行简单的读写操作。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成
存储器 > eMMC
BGA-153
14,246
询盘报价
查看详情 >

MT40A512M8RH-083EIT:B

Microchip(美国微芯)

MT40A512M8RH-083EIT:B，Microchip(美国微芯)，现货库存，FBGA封装，14,000件现货
现货库存
FBGA
14,000
询盘报价
查看详情 >

H5AN4G6NBJR-UHC

HYNIX(海力士)

H5AN4G6NBJR-UHC，HYNIX(海力士)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，12,788件现货，H5AN4G6NBJR-XXC 是一款4Gb DDR4 SDRAM，适用于主内存，支持高带宽操作。该器件具有1.2V供电电压，支持多种时钟频率，包括1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933, 3200 MHz。
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
12,788
询盘报价
查看详情 >

K4F6E3S4HM-THCL

SAMSUNG(三星半导体)

K4F6E3S4HM-THCL，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)，FBGA封装，12,005件现货，K4F6E3S4HM-THCL
存储器 > 动态随机存取存储器(DRAM)
FBGA
12,005
询盘报价
查看详情 >

THGBMUG6C1LBAIL

KIOXIA(铠侠)

THGBMUG6C1LBAIL，KIOXIA(铠侠)，存储器 > eMMC，BGA-153封装，11,771件现货，集成闪存和e-MMC控制器于单个BGA封装，执行纠错、损耗均衡、逻辑到物理地址转换和坏块管理等功能。支持符合JEDEC 5.0/5.1版本的高速内存接口，无需主机直接控制闪存。适用于因所需密度处于较低GB范围，或处理器尚不支持UFS接口而无法迁
存储器 > eMMC
BGA-153
11,771
询盘报价
查看详情 >

K4AAG165WC-BCWE

SAMSUNG(三星半导体)

K4AAG165WC-BCWE，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，11,736件现货，K4AAG165WC-BCWE
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
11,736
询盘报价
查看详情 >

THGBMTG5D1LBAIL

KIOXIA(铠侠)

THGBMTG5D1LBAIL，KIOXIA(铠侠)，存储器 > eMMC，BGA-153封装，11,400件现货，e-MMC产品将闪存和e-MMC控制器集成在单个BGA封装中，以执行纠错、损耗均衡、逻辑到物理地址转换和坏块管理等功能。这些解决方案支持符合JEDEC 5.0/5版本标准的高速内存接口。
存储器 > eMMC
BGA-153
11,400
询盘报价
查看详情 >

CY14V101LA-BA45XI

Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY14V101LA-BA45XI，Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)，存储器 > nvSRAM(掉电保持)，FBGA封装，11,000件现货，CY14V101LA-BA45XI
存储器 > nvSRAM(掉电保持)
FBGA
11,000
询盘报价
查看详情 >

MT53E2G32D4DE-046WT:C

micron(镁光)

MT53E2G32D4DE-046WT:C，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-200封装，11,000件现货，MT53E2G32D4DE-046 WT:C
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-200
11,000
询盘报价
查看详情 >

KLMBG2JETD-B041

SAMSUNG(三星半导体)

KLMBG2JETD-B041，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > eMMC，BGA-153封装，10,075件现货，三星eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC的操作与MMC设备相同，因此只需使用行业标准的MMC协议v5.1对存储器进行简单的读写操作。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成。NAND区域（VDDF或VCC
存储器 > eMMC
BGA-153
10,075
询盘报价
查看详情 >

MT41K128M16JT-125AAT:K

micron(镁光)

MT41K128M16JT-125AAT:K，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，10,000件现货，1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据手册规格。
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
10,000
询盘报价
查看详情 >

MT53E512M32D1ZW-046AAT:B

micron(镁光)

MT53E512M32D1ZW-046AAT:B，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，8,210件现货，MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
8,210
询盘报价
查看详情 >

MT53D512M32D2DS-053WT:D

micron(镁光)

MT53D512M32D2DS-053WT:D，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，8,008件现货，停产 MT53D512M32D2DS-053 WT:D
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
8,008
询盘报价
查看详情 >

MTFC4GACAJCN-4MIT

micron(镁光)

MTFC4GACAJCN-4MIT，micron(镁光)，存储器 > eMMC，FBGA-153封装，7,967件现货，特性：MultiMediaCard (MMC) 控制器和 NAND 闪存。 153 引脚 FBGA（符合 RoHS 标准，“绿色封装”）。 VCC：2.7-3.6V。 VCCQ（双电压）：1.7-1.95V；2.7-3.6V。 工业温度范围
存储器 > eMMC
FBGA-153
7,967
询盘报价
查看详情 >

KLMAG1JETD-B041006

SAMSUNG/三星

KLMAG1JETD-B041006，SAMSUNG/三星，现货库存，FBGA封装，7,840件现货
现货库存
FBGA
7,840
询盘报价
查看详情 >

MT53D1024M32D4DT-046WT:D

micron(镁光)

MT53D1024M32D4DT-046WT:D，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，7,701件现货，停产 MT53D1024M32D4DT-046 WT:D
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
7,701
询盘报价
查看详情 >

MT41K256M8DA-125:K

micron(镁光)

MT41K256M8DA-125:K，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，7,352件现货，1.35V DDR3L SDRAM 器件是 1.5V DDR3 SDRAM 器件的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据手册规格。
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
7,352
询盘报价
查看详情 >

MT40A2G8SA-062EIT:F

micron(镁光)

MT40A2G8SA-062EIT:F，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-84封装，7,000件现货，16Gb: x4, x8, x16 DDR4 SDRA
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-84
7,000
询盘报价
查看详情 >

MT41K256M16TW-107XIT:P

micron(镁光)

MT41K256M16TW-107XIT:P，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，6,269件现货，DDR3L SDRAM (1.35V) 是DDR3 (1.5V) SDRAM的低电压版本，支持1.5V兼容模式。具备8个内部bank，支持差分时钟输入和8位预取架构。
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
6,269
询盘报价
查看详情 >

MT40A1G8SA-062E:E

micron(镁光)

MT40A1G8SA-062E:E，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，6,015件现货，MT40A1G8SA 062E:E
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
6,015
询盘报价
查看详情 >

MT47H128M16RT-25EIT:CTR

micron(镁光)

MT47H128M16RT-25EIT:CTR，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，6,000件现货，特性：VDD = 1.8V±0.1V，VDDQ = 1.8V±0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。 差分数据选通（DQS，DQS#）选项。 4n位预取架构。 x8的重复输出选通（RDQS）选项。
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
6,000
询盘报价
查看详情 >

K4B2G1646F-BYMA

SAMSUNG(三星半导体)

K4B2G1646F-BYMA，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-96封装，5,768件现货，2Gb F-die DDR3L 同步动态随机存取存储器
存储器 > DDR SDRAM
BGA-96
5,768
询盘报价
查看详情 >

K4A8G165WC-BCTD

SAMSUNG(三星半导体)

K4A8G165WC-BCTD，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，BGA-96封装，5,600件现货，8Gb C-die DDR4 SDRAM x16，96FBGA封装，1.2V
存储器 > DDR SDRAM
BGA-96
5,600
询盘报价
查看详情 >

W632GU6NB-11

Winbond(华邦)

W632GU6NB-11，Winbond(华邦)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，5,168件现货，W632GU6NB-11
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
5,168
询盘报价
查看详情 >

K4U6E3S4AB-KHCL

SAMSUNG

K4U6E3S4AB-KHCL，SAMSUNG，现货库存，FBGA封装，5,120件现货
现货库存
FBGA
5,120
询盘报价
查看详情 >

MT53E256M32D2DS-053WT:B

micron(镁光)

MT53E256M32D2DS-053WT:B，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，5,028件现货，特性：超低电压核心和 I/O 电源：VDD1(overline) = 1.70-1.95V，标称值 1.80V；VDD2(overline) = 1.06-1.17V，标称值 1.10V；VDDQ(overline) = 1.
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
5,028
询盘报价
查看详情 >

MT62F1G32D2DS-023WT:C

Micron

MT62F1G32D2DS-023WT:C，Micron，现货库存，TFBGA-315封装，5,020件现货
现货库存
TFBGA-315
5,020
询盘报价
查看详情 >

MT41K512M8RH-125:E

micron(镁光)

MT41K512M8RH-125:E，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，4,950件现货，MT41K512M8RH-125:E
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
4,950
询盘报价
查看详情 >

MT53D512M32D2DS-053AIT:D

micron(镁光)

MT53D512M32D2DS-053AIT:D，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，4,949件现货，MT53D512M32D2DS-053 AIT:D
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
4,949
询盘报价
查看详情 >

MT48LC16M16A2B4-6AIT:G

MICRON

MT48LC16M16A2B4-6AIT:G，MICRON，现货库存，FBGA封装，4,680件现货
现货库存
FBGA
4,680
询盘报价
查看详情 >

SDINBDG4-8G-I1

SANDISK(闪迪)

SDINBDG4-8G-I1，SANDISK(闪迪)，存储器 > eMMC，FBGA封装，4,560件现货，SDINBDG4-8G-I1
存储器 > eMMC
FBGA
4,560
询盘报价
查看详情 >

K4A4G165WE-BCRC

SAMSUNG(三星半导体)

K4A4G165WE-BCRC，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，4,238件现货，4Gb E-die，x16 DDR4 SDRAM
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
4,238
询盘报价
查看详情 >

MT40A512M16LY-075:E

micron(镁光)

MT40A512M16LY-075:E，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，4,058件现货，存储器类型:易失 存储器格式:DRAM 存储器接口:并联 安装类型:表面贴装型 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13.5）
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
4,058
询盘报价
查看详情 >

MTFC8GAKAJCN-4MIT

micron(镁光)

MTFC8GAKAJCN-4MIT，micron(镁光)，存储器 > eMMC，FBGA封装，4,004件现货，e.MMC是一种通信和大容量数据存储设备，它在先进的11信号总线上集成了多媒体卡（MMC）接口、NAND闪存组件和控制器，符合MMC系统规范。其单位比特成本低、封装尺寸小且可靠性高，使其成为基础设施和网络设备、个人电脑和服务器等工业应用以及其他各种
存储器 > eMMC
FBGA
4,004
询盘报价
查看详情 >

XC6SLX45T-2FGG484I

XILINX

XC6SLX45T-2FGG484I，XILINX，现货库存，FBGA封装，3,400件现货
现货库存
FBGA
3,400
询盘报价
查看详情 >

H5ANAG6NCMR-VKC

HYNIX(海力士)

H5ANAG6NCMR-VKC，HYNIX(海力士)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，3,177件现货，H5ANAG6NCMR-VKC
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
3,177
询盘报价
查看详情 >

SDINBDG4-16G

SANDISK(闪迪)

SDINBDG4-16G，SANDISK(闪迪)，存储器 > eMMC，FBGA封装，3,074件现货，SDINBDG4-16G
存储器 > eMMC
FBGA
3,074
询盘报价
查看详情 >

K9F1208U0C-JIB0

SAMSUNG/三星

K9F1208U0C-JIB0，SAMSUNG/三星，现货库存，FBGA封装，3,000件现货
现货库存
FBGA
3,000
询盘报价
查看详情 >

XC7K325T-1FFG900I

XILINX

XC7K325T-1FFG900I，XILINX，现货库存，FBGA封装，2,700件现货
现货库存
FBGA
2,700
询盘报价
查看详情 >

K4AAG165WA-BCWE

SAMSUNG(三星半导体)

K4AAG165WA-BCWE，SAMSUNG(三星半导体)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA-96封装，2,576件现货，DDR4 SDRAM Memory
存储器 > DDR SDRAM
FBGA-96
2,576
询盘报价
查看详情 >

MT53E1G32D2FW-046AUT:A

micron(镁光)

MT53E1G32D2FW-046AUT:A，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，2,380件现货，MT53E1G32D2FW-046 AUT:A
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
2,380
询盘报价
查看详情 >

MTFC4GACAALT-4MIT

micron(镁光)

MTFC4GACAALT-4MIT，micron(镁光)，存储器 > NAND FLASH，FBGA-153封装，2,158件现货，MTFC4GACAALT-4M IT
存储器 > NAND FLASH
FBGA-153
2,158
询盘报价
查看详情 >

MTFC4GACAJCN-1MWT

micron(镁光)

MTFC4GACAJCN-1MWT，micron(镁光)，存储器 > eMMC，FBGA封装，2,154件现货，Micron e·MMC是一种包含MultiMediaCard (MMC)控制器和NAND Flash的通信和数据存储设备。其成本低、体积小、闪存技术独立、数据吞吐量高，适用于嵌入式应用，如机顶盒、数字相机/摄像机、数字电视等。
存储器 > eMMC
FBGA
2,154
询盘报价
查看详情 >

THGAMRG7T13BAIL

KIOXIA(铠侠)

THGAMRG7T13BAIL，KIOXIA(铠侠)，存储器 > eMMC，FBGA封装，2,145件现货，THGAMRG7T13BAIL
存储器 > eMMC
FBGA
2,145
询盘报价
查看详情 >

NT5CC128M16JR-EKI

Nanya(南亚科技)

NT5CC128M16JR-EKI，Nanya(南亚科技)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，2,000件现货，采用双倍数据速率架构实现高速运行，内部配置为八个存储体的动态随机存取存储器（DRAM）。2Gb芯片组织形式为32Mbit x 8 I/O x 8存储体或16Mbit x 16 I/O x 8存储体设备。这些同步设备在一般应用中可实现高达
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
2,000
询盘报价
查看详情 >

MT40A2G16TBB-062E:F

micron(镁光)

MT40A2G16TBB-062E:F，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，1,960件现货，16Gb DDR4 SDRAM 芯片；两个 x8 组合成一个 x16。它使用与单 x16 类似的信号，并且有一个额外的 ZQ 连接用于更快的 ZQ 校准，以及一个 x8 寻址所需的 BG1 控制信号。
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
1,960
询盘报价
查看详情 >

MT53D1024M32D4DT-053AAT:D

micron(镁光)

MT53D1024M32D4DT-053AAT:D，micron(镁光)，存储器 > DDR SDRAM，FBGA封装，1,902件现货，MT53D1024M32D4DT-053 AAT:D
存储器 > DDR SDRAM
FBGA
1,902
询盘报价
查看详情 >

MT62F2G64D8EK-023WT:C

MICRON/镁光

MT62F2G64D8EK-023WT:C，MICRON/镁光，现货库存，FBGA封装，1,900件现货
现货库存
FBGA
1,900
询盘报价
查看详情 >

PACKAGE FAQ

FBGA 封装采购常见问题

FBGA 封装在华芯购有多少可查询型号？

当前 FBGA 封装页收录 122 个公开可查询型号，本页优先展示 80 个现货样本。

筛选 FBGA 封装型号时还要核对什么？

除封装外，还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。

FBGA 封装找不到完全一致型号怎么办？

可以从 SAMSUNG(三星半导体)、micron(镁光)、SK Hynix/海力士、HYNIX(海力士)、SANDISK(闪迪) 或 存储器 > eMMC、存储器 > DDR SDRAM、存储器 > NAND FLASH、现货库存 继续筛选，也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围，由业务按同封装和关键参数协助确认。