minos(迈诺斯) 制造商型号现货与清单询价

TDA7377

minos(迈诺斯)

4×6W · 4Ω四声道音频功放电路

MDT18N20

minos(迈诺斯)

MDT18N20是一款采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET · 该技术可降低导通损耗、改

6288Q-MNS

minos(迈诺斯)

负载类型:MOSFET · IGBT\n灌电流:1.3A\n拉电流:1.0A\n工作电压:5V~18V\n描

BT136S-600E

minos(迈诺斯)

峰极门极功率(PGM)：1.5W

6288T-MNS

minos(迈诺斯)

驱动配置:半桥\n负载类型:MOSFET · IGBT\n工作电压:4V~18V\n上升时间:35ns\n描

MDT20N06

minos(迈诺斯)

采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻和低栅极电荷

AO3401S

minos(迈诺斯)

AO3401S采用先进的沟槽技术 · 具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷

VIPER22AS

minos(迈诺斯)

类型：高性能离线式 PWM 开关电源控制器 · 内置800V功率MOSFET

MDT50N06D

minos(迈诺斯)

MDT50N06采用先进的沟槽技术 · 具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷

IRLR024NTR

minos(迈诺斯)

IRLR024NTR采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷

BT138S-600E

minos(迈诺斯)

应用：适合于TTL、HTL、CMOS电路 · 小功率交流开关

IRS21867-MNS

minos(迈诺斯)

驱动配置:半桥\n负载类型:IGBT · MOSFET\n驱动通道数:2\n灌电流(IOL):4A\n描述：

MDT13N10D

minos(迈诺斯)

MDT13N10D采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷

FAN7390MX-MNS

minos(迈诺斯)

驱动配置:半桥\n负载类型:IGBT · MOSFET\n驱动通道数:2\n灌电流:4A

MDT30N06L

minos(迈诺斯)

MDT30N06L采用先进的沟槽技术 · 具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷

VIPER22A

minos(迈诺斯)

类型：高性能离线式PWM开关电源控制器 · 内置 800V 功率 MOSFET

P75NF75

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P75NF75采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷

AP8012HS

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高性能离线式PWM开关 · 内置800V功率MOSFET

MDT60N06D

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MDT60N06采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷

IRF9540NS

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IRF9540NS采用先进的技术和设计 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)

IRFR1205TR

minos(迈诺斯)

IRFR1205TR采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷

MLG30T65FDL-F

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MLG30T65FDL-F IGBT类型：场截止沟槽 · 集射极击穿电压Vces=650V

MDT18N10D

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MDT18N10D采用先进的沟槽技术 · 具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷

LM317MDT-MNS

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输出类型:可调\n工作电压:40V\n输出电压:1.2V~37V\n输出电流:1.5A

MDT35N06L

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类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：35A 功率(Pd)：44W 导通电阻(R

MDT15P10D

minos(迈诺斯)

数量:1个P沟道\n漏源电压:100V\n连续漏极电流:15A\n导通电阻:90mΩ@10V · 15A

MDT4N65

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这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造 · 这项最新技术经过专门设计

D15NF10L-MNS

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采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷

MDT12N10L

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类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：31W 导通电阻(

MDT19N10L

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类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：19A 功率(Pd)：31W 导通电阻(

IRFR540ZTRPBF-MNS

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数量:1个N沟道\n漏源电压:100V\n连续漏极电流:30A\n导通电阻:25mΩ@10V · 12A\n

MDT20P10D

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数量:1个P沟道\n漏源电压:100V\n连续漏极电流:20A\n导通电阻:80mΩ@10V · 10A\n

MDT40N06D

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采用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷

IRLR3410TR

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IRLR3410TR采用先进的沟槽技术 · 具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷

MDT25N06L

minos(迈诺斯)

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：44W 导通电阻(R

MPT075N10L

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类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：104W 导通电阻

MDT7N65

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MDT7N65 · 这款功率MOSFET采用慧智（Wisdom）先进的平面条形DMOS技术制造

IRF540N-MNS

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N沟道功率MOSFET · 35A

MLS65R580D

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MLS65R580D是采用先进超结技术制造的硅N沟道增强型MOSFET · 该技术可降低导通损耗

MLS65R380D

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MS65R380D是一款采用先进超结技术的硅N沟道增强型MOSFET · 该技术可降低导通损耗

IRS4427S-MNS

minos(迈诺斯)

双通道2A 超高速功率开关驱动器 · 工作范围：4.5V~25V最大输入电压可达5V

MLS60R380D

minos(迈诺斯)

MS60R380D是一款采用先进超结技术的硅N沟道增强型MOSFET · 该技术可降低导通损耗

MDT20P04D

minos(迈诺斯)

MDT20P04D采用先进的沟槽技术 · 具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷

IRF640NS

minos(迈诺斯)

IRF640NS是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET · 该技术可降低导通损耗、改善开

MPT016N10-T

minos(迈诺斯)

漏源电压(Vdss):100V\n连续漏极电流(Id):325A\n导通电阻(RDS(on)):1.3mΩ@

MDT2N60

minos(迈诺斯)

特性：RDS(ON) < 4.4Ω @ VGS = 10V · ID = 1A

AO3400S

minos(迈诺斯)

AO3400S采用先进的沟槽技术 · 具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷

IRS4427-MNS

minos(迈诺斯)

双通道2A 超高速功率开关驱动器 · 工作范围：4.5V~25V最大输入电压可达5V

BT134S-600E

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通态有效值电流IT(RMS)：2A · 断态重复峰值电压VDRM

MDT30N10

minos(迈诺斯)

MDT30N10采用先进的沟槽技术 · 具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷

IRF540NS-MNS

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N沟道 100V 35A 25mΩ 10V 4A 70W 采用先进的沟槽技术 · 提供卓越的RDS（ON）

MSA3116D2

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2×50W 立体声D类音频功率放大器 · 宽工作电压范围： 5.5V-26V

IRFR120NTR

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IRFR120NTR采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷

VIPER12AS

minos(迈诺斯)

类型：高性能离线式 PWM 开关电源控制器 · 内置800V功率MOSFET

MDT9N20

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MDT9N20 是硅 N 沟道增强型 MOSFET · 采用先进的 MOSFET 技术制造

IRFZ44NS-MNS

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N沟道 · 60V

TPA3116D2-MNS

minos(迈诺斯)

2×50W 立体声D类音频功率放大器 · 宽工作电压范围： 5.5V-26V

IRF3205S

minos(迈诺斯)

IRF3205S采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷

MDT40N10D

minos(迈诺斯)

MDT40N10D采用先进的沟槽技术 · 具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷

LM2576S-ADJ/TR

minos(迈诺斯)

LM2576SADJ · TR 是一款3.0A DC

MDT15N10

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MDT15N10采用先进的沟槽技术 · 具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷

MDT35P10D

minos(迈诺斯)

MDT35P10D采用先进的技术和设计 · 以提供出色的导通电阻RDS(ON)

IRF630N

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IRF630N是一款采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET · 该技术可降低传导损耗、改善

MDT70N03

minos(迈诺斯)

MDT70N03采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)

BT138S-800E

minos(迈诺斯)

应用：TTL、HTL、CMOS电路 · 小功率交流开关

MPF3N150

minos(迈诺斯)

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：1500V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：250W 导通电阻

IRF9640PBF-MNS

minos(迈诺斯)

数量:1个P沟道\n漏源电压(Vdss):200V\n连续漏极电流(Id):11A\n导通电阻(RDS(on

MPF5N50-F

minos(迈诺斯)

数量:1个N沟道 漏源电压:500V\n连续漏极电流:5A 导通电阻:1310mΩ@10V

MPF9N90

minos(迈诺斯)

数量:1个N沟道\n漏源电压:900V\n连续漏极电流:9A\n导通电阻:0.97Ω@10V · 4.5A\

MPG180N03P

minos(迈诺斯)

数量:1个N沟道\n漏源电压:30V\n连续漏极电流:180A\n导通电阻:2mΩ@10V · 30A

MPG30N10P

minos(迈诺斯)

数量:1个N沟道\n漏源电压(Vdss):100V\n连续漏极电流(Id):30A\n导通电阻(RDS(on

MPT045N08P

minos(迈诺斯)

数量:1个N沟道\n漏源电压(Vdss):85V\n连续漏极电流(Id):138A\n导通电阻(RDS(on

MPT052N08P

minos(迈诺斯)

数量:1个N沟道\n漏源电压:85V\n连续漏极电流:120A\n导通电阻:4.6mΩ@10V · 50A

SG3525A-MNS

minos(迈诺斯)

工作电压:8V~35V\n输出电流:400mA\n开关频率:100Hz~400kHz\n工作温度:0℃~+7

LM2596T-5.0-MNS

minos(迈诺斯)

LM2596T系列产品是一款3.0ADC · DC降压型开关电源电路

MPT110N8F6

minos(迈诺斯)

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：118A 功率(Pd)：156.2W 导通

MPG190N04P

minos(迈诺斯)

数量:1个N沟道\n漏源电压(Vdss):40V\n连续漏极电流(Id):190A\n导通电阻(RDS(on

MPT053N10P

minos(迈诺斯)

数量:1个N沟道\n漏源电压:100V\n连续漏极电流:120A\n导通电阻:4.8mΩ@10V · 50A

MPG250N04P

minos(迈诺斯)

数量:1个N沟道\n漏源电压:40V\n连续漏极电流:250A\n导通电阻:1.8mΩ@10V

BTB20-600B

minos(迈诺斯)

通态有效值电流IT(RMS)：20A · 断态重复峰值电压VDRM