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MDT12N10L minos(迈诺斯) 现货与BOM询价
MDT12N10L,minos(迈诺斯),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252封装,询盘确认库存,类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@10V,5A
- MPN
- MDT12N10L
- 品牌/制造商
- minos(迈诺斯)
- 封装
- TO-252
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/MDT12N10L
