制造商现货

SUPSiC(国晶微半导体) 制造商型号现货与清单询价

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GAQY211G2S

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-4
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GAQY212GS

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-4
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GAQY210S

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-4
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GAQY212G2S

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-4
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GAQY212G1S

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-4
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GAQY212GSX

SUPSiC(国晶微半导体)

触点形式:1 Form A(SPST-NO)
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-4
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GAQY252G3S

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-4
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GAQW214EH

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-8P
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GAQY212GHA

SUPSiC(国晶微半导体)

触点形式:1 Form A(SPST-NO)
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-4P
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GAQY221S

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-4
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GAQY214S

SUPSiC(国晶微半导体)

应用：隔离开关 · 工控类
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-4
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GAQY221R2S

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-4-175mil-2.54mm
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GAQY215G1S

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-4-175mil-2.54mm
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GAQV1122S

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：高速开关：释放时间为 0.1 ms · 可在紧急情况下快速关闭 MOSFET 或其他负载
光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-4-175mil-2.54mm
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GAQY212G2EH

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-4P
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GAQW212G1EH

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳切换
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-8P
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GAQY216S

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-4
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GAQW211G2EH

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-8P
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GAQY210EH

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳切换
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-4P
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GAQY211G2EH

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-4P
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GAQW212GS

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-8
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GAQW214E

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
DIP-8
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GAQY412S

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-4
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GAQY237S

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-4
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GTLP3555

SUPSiC(国晶微半导体)

触点形式:1 Form A(SPST-NO)
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
DIP-4
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GAQY214EH

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-4P
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GAQY212GEH

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-4P
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GAQW212G2EH

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD8
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GAQW212GEH

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-8P
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GAQY215S

SUPSiC(国晶微半导体)

光mos输出
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-4
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GAQY216E

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
DIP-4
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GAQY210SX

SUPSiC(国晶微半导体)

1 Form A(SPST-NO)负载电压:350V 连续负载电流:0.13A
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-4
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GAQY215G1EH

SUPSiC(国晶微半导体)

1 Form A(SPST-NO)负载电压:150V 连续负载电流:1.1A
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-4P
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GAQW210S

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-8
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GAQV215G1EH

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-6P
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GAQY214DS

SUPSiC(国晶微半导体)

1 Form A(SPST-NO)负载电压:400V 连续负载电流:0.13A
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-4
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GAQY414S

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-4
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GAQY214DEH

SUPSiC(国晶微半导体)

1 Form A(SPST-NO)负载电压:400V 连续负载电流:0.13A
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-4P
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GAQY216EH

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-4P
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GAQY212GH

SUPSiC(国晶微半导体)

触点形式:1 Form A(SPST-NO)
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
DIP-4
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GAQY211G2E

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
DIP-4
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GAQY252G3EH

SUPSiC(国晶微半导体)

光耦继电器触点形式:1 Form A(SPST-NO)
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-4P
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GAQW216EH

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-8P
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GAQW211G2S

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-8
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GC3D10065A

SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:25nC\n 总功率(Ptot):136W
二极管 > 碳化硅二极管
TO-220-2
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GAQV216EH

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-6P
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GAQY214E

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
DIP-4
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GAQV252G2EH

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-6P
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GAQY212G2E

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
DIP-4
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GAQY212R2S

SUPSiC(国晶微半导体)

1 Form A(SPST-NO)负载电压:60V 连续负载电流:0.3A
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-4
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GAQY225G2EH

SUPSiC(国晶微半导体)

1 Form A(SPST-NO) 负载电压:150V 连续负载电流:2.0A
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-4P
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GAQV1123S

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：高速开关：释放时间为 0.1 ms · 可在紧急情况下快速关闭 MOSFET 或其他负载
光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-4-175mil-2.54mm
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GAQW210EH

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-8P
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GAQW214S

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-8
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GAQW217EH

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-8P
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GAQV211G4EH

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-6P
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GAQW215G1S

SUPSiC(国晶微半导体)

2Form A(SPST-NO)负载电压:100V 连续负载电流:1.1A
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-8
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GAQY212E

SUPSiC(国晶微半导体)

触点形式:1 Form A(SPST-NO)
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
DIP-4
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GAQY412RS

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-4
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GAQY282SX

SUPSiC(国晶微半导体)

1 Form A(SPST-NO)负载电压:60V 连续负载电流:0.5A
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-4
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GAQW210E

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
DIP-8
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GAQW216E

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
DIP-8
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GAQW215G1EH

SUPSiC(国晶微半导体)

2 Form A(SPST-NO) 负载电压:150V 连续负载电流:1.1A
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-8P
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GC3N150PF

SUPSiC(国晶微半导体)

GC3N150PF 碳化硅超高压MOS
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-3PF
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GC2M0080120D

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：高阻断电压 · 低导通电阻
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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GAQV212G1EH

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-6P
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GC2M0080120D1

SUPSiC(国晶微半导体)

碳化硅场效应管
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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GAQW216S

SUPSiC(国晶微半导体)

2Form A(SPST-NO)负载电压:600V 连续负载电流:0.08A
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-8
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GAQY225G3EH

SUPSiC(国晶微半导体)

1 Form A(SPST-NO)负载电压: 100 V 连续负载电流: 3.0A
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-4P
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GAQY253GS

SUPSiC(国晶微半导体)

1 Form A(SPST-NO)负载电压: 360V 连续负载电流: 0.8 A
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-4
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GAQV214EH

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-6P
询盘确认
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GAQY217S

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SOP-4
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GAQY412EH

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-4P
询盘确认
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GAQW211G2E

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
DIP-8
询盘确认
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GAQV278AEH-SIC

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-5
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GC3D10170A

SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:96nC\n 总功率(Ptot):185W
二极管 > 碳化硅二极管
TO-220-2
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GC3D04060A

SUPSiC(国晶微半导体)

总电容电荷（Qc）:23nC\n 总功率(Ptot):73W
二极管 > 碳化硅二极管
TO-220-2
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GAQV252G3E

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
DIP-6
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GAQV212E

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
DIP-6
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GAQY414EH

SUPSiC(国晶微半导体)

特性：长寿命（机械和电气寿命无限制） · 无弹跳开关
光耦 > 固态继电器(MOS输出)
SMD-4P
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