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HY19P03D
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P沟道 -30V -90A · 4.8mΩ导通电阻
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HY1904C2
HUAYI(华羿微)
40V · 65A RDSON = 5.1 mΩ(典型值)@ VGS = 10V
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HYG019N06LS1C2
HUAYI(华羿微)
特性:60V · 210A-RDS(ON) = 1.6mΩ (典型值) @ VGS = 10V
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HY1908D
HUAYI(华羿微)
N沟道MOSFET. VDS=80V · ID=90A
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