制造商现货
CRMICRO(华润微) 制造商型号现货与清单询价
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176匹配型号
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
CR7N65A4K
CRMICRO(华润微)
CR7N65 A4K是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管 · 该技术可降低传导损耗三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
45,584
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CR7N65FA9K
CRMICRO(华润微)
CR7N65F A9K是硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管 · 采用自对准平面技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
41,046
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HGQ024N04A
CRMICRO(华润微)
HGQ024N04A是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET） · 采用高密三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5X6
19,990
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HGQ014N04B-G
CRMICRO(华润微)
HGQ014N04B-G 是一款硅 N 沟道增强型 VDMOSFET · 采用高密度沟槽技术制成三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN56
16,850
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CRTT029N06N
CRMICRO(华润微)
特性：使用CRM(CQ)先进沟槽技术 · 极低导通电阻RDS(on)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
14,000
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CRSS052N08N
CRMICRO(华润微)
特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术 · 极低的导通电阻RDS(on)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
7,994
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CRTT067N10N
CRMICRO(华润微)
特性：使用CRM(CQ)先进沟槽技术 · 极低导通电阻RDS(on)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
7,000
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CRTD700P10L
CRMICRO(华润微)
特性：使用CRM(CQ)先进沟槽技术 · 极低导通电阻RDS(on)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
500
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CR12N65FA9K
CRMICRO(华润微)
CR12N65F A9K是一款硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET） ·三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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CR4N65A4K
CRMICRO(华润微)
CR4N65 A4K是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管 · 该技术可降低导通损耗三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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SKD502T
CRMICRO(华润微)
特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术 · 极低的导通电阻RDS(on)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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CRSM034N06L2
CRMICRO(华润微)
特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS2技术 · 极低的导通电阻RDS(on)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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CRST055N08N
CRMICRO(华润微)
低压MOSFET 电源、储能电源、UPS用 · Vds=85V Id=120A Rds=4.6mΩ(5.5m三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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CRSM038N10N4
CRMICRO(华润微)
低压MOSFET 电源、储能电源、UPS用 · Vds=100V Id=100A Rds=3.0mΩ(3.6三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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CS9N90ANHD
CRMICRO(华润微)
CS9N90 ANHD是一款采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-3P
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CRTM030N04L
CRMICRO(华润微)
特性：使用CRM(CQ)先进沟槽技术 · 极低导通电阻RDS(on)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8-EP
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CRTJ14DN10L
CRMICRO(华润微)
特性：使用CRM(CQ)先进沟槽技术 · 极低导通电阻RDS(on)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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CRG25T120BK3S
CRMICRO(华润微)
UPS、光伏逆变、电焊机用 高开关频率替代士兰 ST Magnachip infineon 25N12000三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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CRTS095N12N
CRMICRO(华润微)
特性：使用CRM(CQ)先进沟槽技术 · 极低导通电阻RDS(on)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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CS3N150AHR
CRMICRO(华润微)
CS3N150 AHR是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDM三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-3PH
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CRST030N10N
CRMICRO(华润微)
特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术 · 极低的导通电阻RDS(on)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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CRST045N10N
CRMICRO(华润微)
低压MOSFET 电源、储能电源、UPS用 · Vds=100V Id=120A Rds=3.6mΩ(4.5三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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CRTT032N06N
CRMICRO(华润微)
低压MOSFET 电源、储能电源、UPS电路中逆变和同步整流用 · Vds=60V Id=160A Rds=三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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CRSD082N10L2
CRMICRO(华润微)
特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS2技术 · 极低的导通电阻RDS(on)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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HGD032N04A
CRMICRO(华润微)
HGD032N04A是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET） · 采用高密三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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CRSD130N10L2
CRMICRO(华润微)
特性：使用CRM（CQ）先进的SkyMOS2技术 · 极低的导通电阻RDS(on)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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CRTD045N03L
CRMICRO(华润微)
特性：使用CRM(CQ)先进的沟槽MOS技术 · 极低的导通电阻RDS(on)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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CRSZ025N10NZ
CRMICRO(华润微)
特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术 · 极低的导通电阻RDS(on)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
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CS3815EO
CRMICRO(华润微)
CS3815EO是一款15W（每声道）立体声高效D类音频功率放大电路 · 先进的EMI抑制技术使得在输出端口运算放大器/比较器 > 音频功率放大器
HTSSOP-28
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CRST073N15N
CRMICRO(华润微)
低压MOSFET 电源、储能电源、UPS用 · Vds=150V Id=135A Rds=6.2mΩ(7.3三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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CRSS063N08N
CRMICRO(华润微)
特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术 · 极低的导通电阻RDS(on)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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CRJQ30N60G2F
CRMICRO(华润微)
高压超结场效应管SJ-MOSFET 汽车直流充电桩电源、矿机电源、工业电源用三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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CS3818EO
CRMICRO(华润微)
CS3818EO是一款15W（每声道）立体声高效D类音频功率放大电路 · 先进的EMI抑制技术使得在输出端口运算放大器/比较器 > 音频功率放大器
HTSSOP-28
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CRTS020N04N
CRMICRO(华润微)
特性：使用CRM(CQ)先进沟槽技术 · 极低导通电阻RDS(on)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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CRG60T60AK3HD
CRMICRO(华润微)
采用先进的沟槽FSIGBT技术 · 具有良好的导通和开关特性三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247-3
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CRJF190N65GCF
CRMICRO(华润微)
特性：CRM(CQ) Super Junction technology · 更低的导通电阻与面积乘积（Ro三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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CRG40T65AK5SD
CRMICRO(华润微)
CRG40T65AK5SD采用先进的微沟槽FS IGBT技术 · 具有良好的导通和开关特性三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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CRJT99N65G2
CRMICRO(华润微)
特性：CRM(CQ)超结技术 · 极低的导通电阻与面积乘积（Ron*A）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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CRG75T60AK3HD
CRMICRO(华润微)
CRG75T60AK3HD采用先进的沟槽FSIGBT技术 · 具有良好的导通和开关特性三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247-3
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CS100N03A4-G
CRMICRO(华润微)
CS100N03 A4-G是采用高密度沟槽技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管 · 该技术可降低传三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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CRTD030N04L
CRMICRO(华润微)
特性：使用CRM(CQ)先进的沟槽MOS技术 · 极低的导通电阻RDS(on)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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CRJD390N65GC
CRMICRO(华润微)
特性：CRM(CQ) Super Junction technology · 更低的导通电阻×面积乘积（Ro三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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CRG15T60A83L
CRMICRO(华润微)
CRG15T60A83L和CRG15T60A93L具有良好的导通和开关特性和易并联使用的特点 · 符合RoH三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-220
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CS70N30ANR
CRMICRO(华润微)
CS70N30 ANR是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDM三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-3P
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CRSM043N10N4
CRMICRO(华润微)
特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS4技术 · 极低的导通电阻RDS(on)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8
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CRTT360N20N
CRMICRO(华润微)
特性：使用CRM(CQ)先进沟槽技术 · 极低导通电阻RDS(on)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220-3L
询盘确认
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CR4N60A4K
CRMICRO(华润微)
CR4N60 A4K是一款采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VD三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
询盘确认
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CRST040N10N
CRMICRO(华润微)
特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术 · 极低的导通电阻RDS(on)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
询盘确认
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CRG60T60AN3H
CRMICRO(华润微)
电焊机 UPS 电源用 Vces=600V Ic=40A Ptot=336W Vce=1.90V 半电流续流三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-3PN
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CS18N20A8R
CRMICRO(华润微)
CS18N20 A8R是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管 · 该技术可降低导通损三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220AB
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CS25N50ANR
CRMICRO(华润微)
CS25N50 ANR是一款硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET） · 采三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-3P
询盘确认
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CR16N65FA9K
CRMICRO(华润微)
CR16N65F A9K是采用自对准平面技术制成的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VD三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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