制造商现货

华润华晶 制造商型号现货与清单询价

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CS1N60A4H

华润华晶

CS1N60 A4H是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管 · 该技术可降低导通损耗
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
60,000
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CS2N60A4H

华润华晶

N沟道 · 600V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
60,000
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CRSM088N12N

华润华晶

CRSM088N12N
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-56
779
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CS10N80FA9D

华润华晶

N沟道 · 800V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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CS25N06C4

华润华晶

1个N沟道 耐压:60V 电流:25A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2
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CS630A8H

华润华晶

1个N沟道 耐压:200V 电流:9A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
ITO-220AB-3
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CS4N65A3R

华润华晶

N沟道 650V 4A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-251
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CS2N60A3H

华润华晶

N沟道 · 600V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-251
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CS7N70A4R-G

华润华晶

1个N沟道 耐压:700V 电流:7A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2
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CS15N50FA9R

华润华晶

N沟道 · 500V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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CS10N50FA9R

华润华晶

CS10N50FA9R
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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CS10N65FA9R

华润华晶

CS10N65F A9R是一款采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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CS10N70FA9D

华润华晶

N沟道 700V 10A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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CS12N65FA9R

华润华晶

1个N沟道 耐压:650V 电流:12A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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CS13N50FA9R

华润华晶

N沟道 · 500V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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CS4N60FA9R

华润华晶

1个N沟道 耐压:600V 电流:4A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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CS4N65A4R

华润华晶

N沟道 · 电流:4A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2
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CS5N20A3

华润华晶

N沟道 · 200V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-251
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CS120N08A8

华润华晶

CS120N08 A8是采用先进沟槽技术制成的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMO
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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CS4N80A4HD-G

华润华晶

CS4N80 A4HD - G是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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CS12N06AE-G

华润华晶

CS12N06 AE - G是采用硅材料的N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFE
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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CS630A4H

华润华晶

N沟道 200V 9A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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3DD13009AN

华润华晶

3DD13009AN是硅NPN型功率开关晶体管 · 该产品采用平面工艺
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-3PN
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CS12N60FA9R

华润华晶

N沟道 · 600V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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CS5N65FA9R

华润华晶

N沟道 650V 5A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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CS10N70FA9R

华润华晶

N沟道 · 700V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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CS4N60A4R

华润华晶

硅N沟道增强型VDMOSFET · 通过自对准平面技术获得
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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3DD13005GRD

华润华晶

3DD13005 GRD 是硅NPN型功率开关晶体管 · 该产品采用平面工艺
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-262-3
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CS4N70FA9R

华润华晶

CS4N70F A9R是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDM
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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CS7N65FA9D

华润华晶

N沟道 650V 7A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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CS4N60A8HD

华润华晶

N沟道 · 600V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
ITO-220AB-3
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CS100N03B4

华润华晶

CS100N03 B4是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDM
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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CS8N60FA9H

华润华晶

N沟道 600V 8A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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CS4N60A3R

华润华晶

N沟道 650V 4A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-251
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CS5N20A4

华润华晶

CS5N20 A4是一款采用硅材料的N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET）
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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CS7N65FA9R

华润华晶

CS7N65F A9R是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOSFET · 该技术可降低导通损耗、改
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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3DD13009A8

华润华晶

3DD13009 A8是硅NPN型功率开关晶体管 · 该产品采用平面工艺
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-220AB-3
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CS4N80A3HD-G

华润华晶

CS4N80 A3HD - G是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管 · 该技术可降
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-251
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CS740A8H

华润华晶

CS740 A8H是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET） · 采用自对准
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220AB
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2CZ10150A8

华润华晶

电压:150V 电流:5A
二极管 > 肖特基二极管
TO-220AB-3
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3DD13003E1D

华润华晶

3DD13003 E1D 是硅NPN型功率开关晶体管 · 该产品采用平面工艺
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-92
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3DD13003E1D-BD

华润华晶

3DD13003E1D-BD
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-92-3
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3DD13003E6D

华润华晶

3DD13003 E6D 是硅NPN型功率开关晶体管 · 该产品采用平面工艺
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-126
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3DD13003F1D

华润华晶

3DD13003 F1D是硅NPN型功率开关晶体管 · 该产品采用平面工艺
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-92
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3DD13003F6

华润华晶

3DD13003F6
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-126
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3DD13005C7D

华润华晶

3DD13005C7D
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-126
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3DD13007X1

华润华晶

3DD13007X1
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-220AB-3
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3DD3040A3-H

华润华晶

3DD3040A3-H
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-251
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BT15T120CNR

华润华晶

BT15T120CNR
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-3PN
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BT15T60A8F

华润华晶

BT15T60A8F
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-220AB-3
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BT15T60A9F

华润华晶

BT15T60A9F
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-220F-3
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BT25T120CKR

华润华晶

BT25T120CKR
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247-3
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BT40T120CKFH

华润华晶

BT40T120CKFH
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247-3
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BT50T60ANFK

华润华晶

BT50T60ANFK
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-3PN
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BT60T60ANFK

华润华晶

BT60T60ANFK
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-3PN
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CD1517CP

华润华晶

CD1517CP
运算放大器/比较器 > 音频功率放大器
DIP-18
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CD1875CZ

华润华晶

CD1875CZ
运算放大器/比较器 > 音频功率放大器
TO-220-5
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CD2003GB

华润华晶

CD2003GB 停产
射频芯片/天线 > RF调制器和解调器
SOP-16
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CD2030ACZ

华润华晶

CD2030ACZ
运算放大器/比较器 > 音频功率放大器
TO-220-5
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CD2050CZ

华润华晶

CD2050CZ
运算放大器/比较器 > 音频功率放大器
FZIP5
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CD4440CS

华润华晶

CD4440CS
运算放大器/比较器 > 音频功率放大器
FSIP-14
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CD7266CZ

华润华晶

CD7266CZ
运算放大器/比较器 > 音频功率放大器
插件
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CD7377CZ

华润华晶

CD7377CZ
运算放大器/比较器 > 音频功率放大器
FZIP15
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CD7378CZ

华润华晶

CD7378CZ
运算放大器/比较器 > 音频功率放大器
HZIP15
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CD7379CZ

华润华晶

CD7379CZ
运算放大器/比较器 > 音频功率放大器
TO-220-15
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CD7388CZ

华润华晶

CD7388CZ
运算放大器/比较器 > 音频功率放大器
FZIP25
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CD7388LCZ

华润华晶

CD7388LCZ
运算放大器/比较器 > 音频功率放大器
FZIP-25
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CD78041CZ

华润华晶

场偏转输出电路
运算放大器/比较器 > 特殊功能放大器
TO-220-7
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CD8227GP

华润华晶

CD8227GP
运算放大器/比较器 > 音频功率放大器
HDIP-12
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CF4558CB

华润华晶

CF4558CB
运算放大器/比较器 > 运算放大器
SOP-8
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CF4558GP

华润华晶

CF4558GP
运算放大器/比较器 > 运算放大器
DIP-8
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CS100N08A8

华润华晶

N沟道 · 85V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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CS10N60FA9R

华润华晶

N沟道 · 600V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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CS12N60FA9H

华润华晶

N沟道 · 600V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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CS12N65FA9H

华润华晶

N沟道 650V 12A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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CS13N50FA9H

华润华晶

N沟道 · 500V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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CS150N03A8

华润华晶

1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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CS16N06AE-G

华润华晶

1个N沟道 耐压:60V 电流:16A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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CS16N65FA9H

华润华晶

N沟道 · 650V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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CS1N60A1H

华润华晶

N沟道 · 600V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-92
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