替代料初筛

S1P05R120HBB 替代料候选与BOM转入

候选仅供初筛，替换前需核对封装、脚位、参数和应用条件。库存、价格、交期以最终核实为准。

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替代风险提示

候选仅供初筛，不能视为等效承诺；替换前需核对封装、脚位、关键电气参数、温度等级、认证要求和实际应用条件。

候选型号

同类目、同封装或同品牌候选

转入BOM

C3M0075120K

WOLFSPEED

数量:1个N沟道 · 类型:1个N沟道
状态现货可下单批号批号 21+22+起订按需交期核对后发
封装TO-247 可供数量33,550 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
33,550
询盘报价
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UJ3C065030B3

UNITEDSIC

这款碳化硅场效应管（SiC FET）基于独特的“共源共栅”电路配置 · 其中常开碳化硅结型场效应管（JFET
状态现货可下单批号批号 23+起订按需交期核对后发
封装TO-263 可供数量7,135 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263
7,135
询盘报价
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SCTWA30N120

ST(意法半导体)

漏源电压(Vdss):1.2kV · 连续漏极电流(Id):45A
状态现货可下单批号批号 18+起订按需交期核对后发
封装TO-247 可供数量4,600 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
4,600
询盘报价
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IMW120R045M1

Infineon(英飞凌)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
状态现货可下单批号批号 22+起订按需交期核对后发
封装TO-247 可供数量1,200 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
1,200
询盘报价
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IMBF170R1K0M1XTMA1

Infineon(英飞凌)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.7kV
状态现货可下单批号批号 22+起订按需交期核对后发
封装TO-263-7 可供数量1,004 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7
1,004
询盘报价
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IMZ120R090M1H

Infineon(英飞凌)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
状态现货可下单批号批号 22+起订按需交期核对后发
封装TO-247 可供数量813 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
813
询盘报价
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IMZA65R048M1H

Infineon(英飞凌)

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-247-4 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4
询盘确认
询盘报价
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SCT040HU65G3AG

ST(意法半导体)

连续漏极电流(Id):30A · 耗散功率(Pd):221W
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装HU3PAK 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
HU3PAK
询盘确认
询盘报价
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SG2M040120LH

SICHAIN(清纯)

SIC MOSFET 1200V40mΩ
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-247-4L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
询盘确认
询盘报价
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NTHL030N120M3S

onsemi(安森美)

类型:N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-247-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
询盘确认
询盘报价
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封装

先比封装与脚位

封装名称相近仍需核对尺寸、焊盘和引脚定义。

参数

再比关键电气参数

电压、电流、精度、频率、温度等级和保护指标需逐项确认。

应用

最后看使用场景

量产、维修、车规、工控或认证项目需要保留更严格边界。

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