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ANHI(安海) 品牌现货

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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)57 个分类三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块2 个分类碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)1 个分类TO-26311 个封装

前排现货

ANHI(安海) 前排 4 款

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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价

ASD70R600E

ANHI(安海)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON)=0.540Ω（典型值） · 易于控制栅极开关 · 场效应管(MOSFET)
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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AUD060N08AG

ANHI(安海)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 5.6mΩ（典型值） · 高速功率开关 · 场效应管(MOSFET)
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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AUD034N04LA

ANHI(安海)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.9mΩ（典型值） · 易于控制栅极开关 · 场效应管(MOSFET)
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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ASM60R330E

ANHI(安海)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.305Ω（典型值） · 易于控制栅极开关 · 场效应管(MOSFET)
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8x8
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