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TPH2R306NH L1Q(M 现货库存

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TPH2R306NH L1Q(M 现货结果

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封装/规格:
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型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

TPH2R306NH,L1Q

TOSHIBA(东芝)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装VDFN-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
VDFN-8
询盘确认
询盘报价

TPH2R306NH,L1Q(M

TOSHIBA(东芝)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):60A
状态现货可下单批号批号 2502起订按需交期核对后发
封装QFN-8 可供数量95,000 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
QFN-8
95,000
询盘报价
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