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类目
品牌
封装 / 规格
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价
BP2U+
Mini-Circuits
BP2U+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF功分器/合路器，SOIC-8封装，询盘确认库存，BP2U+射频芯片/天线 > RF功分器/合路器
SOIC-8
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GP2S+
Mini-Circuits
GP2S+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF功分器/合路器，VQFN-12-EP封装，询盘确认库存，特性：宽带宽：800至2100 MHz。出色的隔离度：典型值24 dB。出色的幅度不平衡：典型值0.02 dB。良好的相位不平衡：典型值0.8 deg.。小尺寸：0.118 x 0.118 x 0.035。高ESD等级。应用：蜂窝网络。GP射频芯片/天线 > RF功分器/合路器
VQFN-12-EP
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BP2C+
Mini-Circuits
BP2C+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF功分器/合路器，SOIC-8封装，询盘确认库存，特性：低插入损耗，典型值0.4 dB。 高隔离度，典型值25 dB。 出色的电压驻波比，典型值1.07。 出色的功率处理能力，1.5W。 薄型设计。 可水清洗。应用：蜂窝网络。 GSM网络射频芯片/天线 > RF功分器/合路器
SOIC-8
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WP4G+
Mini-Circuits
WP4G+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF其它IC和模块，QFN-12-EP封装，询盘确认库存，特性：出色的隔离度，典型值为28dB。 出色的相位不平衡度，典型值为1°。 出色的幅度不平衡度，典型值为0.25dB。 尺寸小，为0.118\射频芯片/天线 > RF其它IC和模块
QFN-12-EP
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BP2G+
Mini-Circuits
BP2G+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF功分器/合路器，SOIC-8封装，询盘确认库存，特性：低插入损耗，典型值0.4 dB。 高隔离度，典型值28 dB。 良好的输出电压驻波比，1.15:1。 良好的输入电压驻波比，典型值1.2:1。 出色的功率处理能力，1.5W。 低外形，0.077。应用：GPS。 PDC射频芯片/天线 > RF功分器/合路器
SOIC-8
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EP2W+
Mini-Circuits
EP2W+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF功分器/合路器，VFQFN-32-EP封装，询盘确认库存，一款MMIC 2-路0°功分器/合路器，设计用于0.7至6.0 GHz的宽带操作，支持许多需要在宽频率范围内实现高性能的应用，包括所有LTE频段、WiMax和WiFi，以及仪器仪表等。该型号在5x5mm QFN小型封装中提供高达2.5W（射频芯片/天线 > RF功分器/合路器
VFQFN-32-EP
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EP2C+
Mini-Circuits
EP2C+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF功分器/合路器，VFQFN-24-EP封装，询盘确认库存，是一款为1800至12500 MHz宽带运行而设计的MMIC功分器/合路器。此型号在微小的器件封装(4×4×1mm)中提供出色的功率额定值，具有高达1.85W的功率处理能力(作为功分器)和高达0.4A的直流电流处理能力。采用GaAs IP射频芯片/天线 > RF功分器/合路器
VFQFN-24-EP
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WP4N+
Mini-Circuits
WP4N+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF功分器/合路器，VQFN-12-EP封装，询盘确认库存，四路0度50欧姆1215至1900MHz射频功分器/合路器，具有优异的隔离度、相位不平衡和幅度不平衡性能，适用于GPS、WCDMA和PCS等应用。射频芯片/天线 > RF功分器/合路器
VQFN-12-EP
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GP2X+
Mini-Circuits
GP2X+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF功分器/合路器，VQFN-12-EP封装，询盘确认库存，特性：宽带宽，2900至6200 MHz。 出色的幅度不平衡性，典型值为0.05 dB。 良好的相位不平衡性，典型值为3°。 小尺寸，0.118英寸×0.118英寸×0.035英寸。 高ESD等级。 可水清洗。应用：WIMAX。 ISM射频芯片/天线 > RF功分器/合路器
VQFN-12-EP
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WP4S+
Mini-Circuits
WP4S+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF功分器/合路器，VQFN-12-EP封装，询盘确认库存，WP4S+射频芯片/天线 > RF功分器/合路器
VQFN-12-EP
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NP2G+
Mini-Circuits
NP2G+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF功分器/合路器，VDFN-6封装，询盘确认库存，是一款MMIC 2路0°功分器/合路器，专为1150至1950 MHz的窄带操作而设计，支持许多需要在窄带频率范围内实现高性能的应用。该型号在1.4×2.0mm、6引脚MCLP封装中提供高达1.5W（作为功分器）的出色功率处理能力，具有低插入损耗、射频芯片/天线 > RF功分器/合路器
VDFN-6
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WP4L+
Mini-Circuits
WP4L+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF功分器/合路器，QFN-12-EP封装，询盘确认库存，特性：出色的隔离度，典型值为24 dB。 良好的相位不平衡度，典型值为3°。 良好的幅度不平衡度，典型值为0.2 dB。 小尺寸，0.118\射频芯片/天线 > RF功分器/合路器
QFN-12-EP
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EP2K+
Mini-Circuits
EP2K+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF功分器/合路器，VFQFN-24-EP封装，询盘确认库存，是一款用于5至20 GHz宽带运行的MMIC功分器/合路器。该型号在微小的器件封装（4x4x1 mm）中提供出色的功率额定值，具有高达2.5W的功率处理能力（作为功分器）和高达1.2A的直流电流处理能力。采用GaAs IPD技术制造，提供射频芯片/天线 > RF功分器/合路器
VFQFN-24-EP
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D17W+
Mini-Circuits
D17W+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF耦合器，SOT-23-6封装，询盘确认库存，MMIC定向耦合器设计用于700至3500 MHz的应用。该型号在一个微小的设备封装（3.1 × 3.0 × 1.6 mm）中提供高达4W的出色功率处理能力。隔离端口上内置的50Ω终端简化了电路设计并减少了组件数量。采用硅IPD技术制造，该型号提供高水射频芯片/天线 > RF耦合器
SOT-23-6
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D20C+
Mini-Circuits
D20C+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF耦合器，SOT-23-6封装，询盘确认库存，D20C+射频芯片/天线 > RF耦合器
SOT-23-6
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GP2Y+
Mini-Circuits
GP2Y+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF功分器/合路器，VQFN-12-EP封装，询盘确认库存，GP2Y+射频芯片/天线 > RF功分器/合路器
VQFN-12-EP
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WP4A+
Mini-Circuits
WP4A+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF功分器/合路器，VQFN-12-EP封装，询盘确认库存，4Way-0°、50Ω功率分配器/合成器射频芯片/天线 > RF功分器/合路器
VQFN-12-EP
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WP4P+
Mini-Circuits
WP4P+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF功分器/合路器，VQFN-12-EP封装，询盘确认库存，WP4P+射频芯片/天线 > RF功分器/合路器
VQFN-12-EP
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WP4R+
Mini-Circuits
WP4R+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF其它IC和模块，QFN-12-EP封装，询盘确认库存，特性：出色的隔离度，典型值为26 dB。良好的相位不平衡度，典型值为2°。良好的幅度不平衡度，典型值为2 dB。小尺寸，118×118×035。高ESD等级。可水洗。应用：WLAN。WIMAX射频芯片/天线 > RF其它IC和模块
QFN-12-EP
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WP4U+
Mini-Circuits
WP4U+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF其它IC和模块，QFN-12-EP封装，询盘确认库存，WP4U+射频芯片/天线 > RF其它IC和模块
QFN-12-EP
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GP2S1+
Mini-Circuits
GP2S1+，Mini-Circuits，射频芯片/天线 > RF功分器/合路器，NA封装，32,624件现货，特性：非常宽的带宽，500至2500 MHz。 出色的隔离度，典型值20 dB。 出色的幅度不平衡度，典型值0.02 dB。 出色的相位不平衡度，典型值0.9°。 小尺寸，0.118英寸x0.118英寸x0.035英寸。 高ESD等级。应用：蜂窝网射频芯片/天线 > RF功分器/合路器
NA
32,624
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