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BCP56 115 现货结果
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型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价
封装SOT-223
可供数量2,000
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
SOT-223
2,000
询盘报价
封装SOT-223
可供数量86,000
起订按需
报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
SOT-223
86,000
询盘报价
封装SOT-223
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
SOT-223
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BCP56,115-JSM
JSMSEMI(杰盛微)
晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：1A 集射极击穿电压(Vceo)：80V 耗散功率(Pd)：1.5W
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装SOT-223
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
SOT-223
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封装-
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
-
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封装-
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
-
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封装-
可供数量询盘确认
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
-
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封装-
可供数量询盘确认
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
-
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BCP56-16,115-JSM
JSMSEMI(杰盛微)
晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：1A 集射极击穿电压(Vceo)：80V 耗散功率(Pd)：1.33
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装SOT-223
可供数量询盘确认
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
SOT-223
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BCP56-10,115-JSM
JSMSEMI(杰盛微)
晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：1A 集射极击穿电压(Vceo)：80V 耗散功率(Pd)：1.5W
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装SOT-223
可供数量询盘确认
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报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
SOT-223
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