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ATP106-DO
DOINGTER(杜因特)
漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):35A
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封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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ATPL100AEK
Microchip(美国微芯)
ATPL100AEK
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ATPL360-EK
Microchip(美国微芯)
类型:接口
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ATP203-TL-H
SANYOU(三友)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ATPL250A-EK
Microchip(美国微芯)
ATPL250A-EK
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射频芯片/天线 / RF衰减器
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ATP868R2540A
YIC
天线类型:陶瓷天线 · 中心频率:868MHz
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射频芯片/天线 / 天线
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射频芯片/天线 / 天线
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ATPL00BDK-99
Microchip(美国微芯)
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ATPL00BSK-99
Microchip(美国微芯)
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ATPL100DK-99
Microchip(美国微芯)
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ATPL100SK-99
Microchip(美国微芯)
ATPL100SK-99
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ATPL210SK-99
Microchip(美国微芯)
ATPL210SK-99
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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ATPL10SFLT-99
Microchip(美国微芯)
ATPL10SFLT-99
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封装-
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ATPL21SFLT-99
Microchip(美国微芯)
ATPL21SFLT-99
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封装-
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ATPL21SFPR-99
Microchip(美国微芯)
ATPL21SFPR-99
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ATPROTO1-XPRO
Microchip(美国微芯)
ATPROTO1-XPRO
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ATP113-TL-H-DO
DOINGTER(杜因特)
漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):50A
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封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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射频芯片/天线 / 天线
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射频芯片/天线 / 天线
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射频芯片/天线 / 天线
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射频芯片/天线 / 天线
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