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型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价
ESD5581N2T5G
onsemi(安森美)
ESD5581N2T5G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，X2DFN-2封装，询盘确认库存，ESD5581旨在保护需要低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X2DFN-2
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ESD7462N2T5G
onsemi(安森美)
ESD7462N2T5G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，X2DFN-2封装，询盘确认库存，ESD7462N2T5G三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X2DFN-2
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ESD7551N2T5G
onsemi(安森美)
ESD7551N2T5G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，X2DFN-2封装，询盘确认库存，ESD保护二极管三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X2DFN-2
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ESDM3551N2T5G
onsemi(安森美)
ESDM3551N2T5G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，X2DFN-2封装，询盘确认库存，ESDM3551旨在保护需要低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X2DFN-2
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ESDU3121MXT5G
onsemi(安森美)
ESDU3121MXT5G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，X2DFN-2封装，询盘确认库存，ESDU3121MXT5G三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X2DFN-2
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NSPU3061N2T5G
onsemi(安森美)
NSPU3061N2T5G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，X2DFN-2封装，询盘确认库存，NSPU3061 适用于为电压敏感组件提供针对 ESD 的保护。绝佳的箝位能力、低漏、高峰值脉冲电流应对能力和快速响应时间为接触 ESD 的设计提供了业内最佳的保护。由于其尺寸较小，适用于蜂窝电话、平板电脑、M三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X2DFN-2
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NSR0240MXWT5G
onsemi(安森美)
NSR0240MXWT5G，onsemi(安森美)，二极管 > 快恢复/高效率二极管，X2DFN-2封装，询盘确认库存，NSR0240MXWT5G二极管 > 快恢复/高效率二极管
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SZESD7241N2T5G
onsemi(安森美)
SZESD7241N2T5G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，X2DFN-2封装，询盘确认库存，ESD7241旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。它在不同电压下具有行业领先的电容线性度，非常适合射频（RF）应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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SZESD7410N2T5G
onsemi(安森美)
SZESD7410N2T5G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，X2DFN-2封装，询盘确认库存，ESD7410旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。它在不同电压下具有业界领先的电容线性度，非常适合射频（RF）应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
X2DFN-2
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