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TSMT8 现货结果

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RQ1E070RPTR

ROHM(罗姆)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
现货可核批号 21+19+
封装TSMT8 可供数量9,000
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TSMT8
9,000
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QH8JA1TCR

ROHM(罗姆)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):5A
询盘确认可单次提交
封装TSMT8 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TSMT8
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QH8K22TCR

ROHM(罗姆)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
询盘确认可单次提交
封装TSMT8 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TSMT8
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QH8K26TR

ROHM(罗姆)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
询盘确认可单次提交
封装TSMT8 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TSMT8
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QH8K51TR

ROHM(罗姆)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
询盘确认可单次提交
封装TSMT8 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TSMT8
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QH8KA1TCR

ROHM(罗姆)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
询盘确认可单次提交
封装TSMT8 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TSMT8
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QH8MA3TCR

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
询盘确认可单次提交
封装TSMT8 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TSMT8
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QS8F2TCR

ROHM(罗姆)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):12V
询盘确认可单次提交
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TSMT8
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QS8J13TR

ROHM(罗姆)

数量:2个P沟道 · 漏源电压(Vdss):12V
询盘确认可单次提交
封装TSMT8 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TSMT8
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QS8J1TR

ROHM(罗姆)

数量:2个P沟道 · 漏源电压(Vdss):12V
询盘确认可单次提交
封装TSMT8 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TSMT8
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QS8J4TR

ROHM(罗姆)

数量:2个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
询盘确认可单次提交
封装TSMT8 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TSMT8
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QS8J5TR

ROHM(罗姆)

数量:2个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
询盘确认可单次提交
封装TSMT8 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TSMT8
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QS8K11TCR

ROHM(罗姆)

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
询盘确认可单次提交
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TSMT8
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QS8K51TR

ROHM(罗姆)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):2A
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封装TSMT8 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TSMT8
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QS8M11TCR

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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封装TSMT8 可供数量询盘确认
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TSMT8
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QS8M12TCR

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TSMT8
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QS8M31TR

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TSMT8
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QS8M51TR

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TSMT8
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RQ1C065UNTR

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TSMT8
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RQ1E100XNTR

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TSMT8
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RQ7E055ATTCR

ROHM(罗姆)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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RQ7E100ATTCR

ROHM(罗姆)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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RQ7E110AJTCR

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TSMT8
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RQ7L055BGTCR

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
询盘确认可单次提交
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TSMT8
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