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类目：
碳化硅场效应管(MOSFET)场效应管(MOSFET)
品牌：
WOLFSPEED
封装/规格：
TO-263-7
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C3M0280090J

WOLFSPEED

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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C3M0060065J

WOLFSPEED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C3M0350120J

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类型:N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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C3M0075120J

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类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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C3M0120065J

WOLFSPEED

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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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WOLFSPEED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):900V
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C3M0160120J

WOLFSPEED

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E3M0120090J

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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C3M0032120J1

WOLFSPEED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C3M0025065J1

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类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C3M0040120J1

WOLFSPEED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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C3M0160120J-TR

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漏源电压(Vdss):1.2kV · 连续漏极电流(Id):17A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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C3M0120090J-TR

WOLFSPEED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):900V
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C3M0060065J-TR

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漏源电压(Vdss):650V · 连续漏极电流(Id):36A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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C3M0065090J-TR

WOLFSPEED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):900V
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C3M0065100J-TR

WOLFSPEED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
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碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C3M0075120J-TR

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C3M0075120J-TR
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C3M0120065J-TR

WOLFSPEED

漏源电压(Vdss):650V · 连续漏极电流(Id):21A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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C3M0280090J-TR

WOLFSPEED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):900V
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封装TO-263-7 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-263-7
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C3M0350120J-TR

WOLFSPEED

漏源电压(Vdss):1.2kV · 连续漏极电流(Id):7.2A
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E3M0120090J-TR

WOLFSPEED

漏源电压(Vdss):900V · 连续漏极电流(Id):22A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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C3M0025065J1-TR

WOLFSPEED

漏源电压(Vdss):650V · 连续漏极电流(Id):80A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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C3M0032120J1-TR

WOLFSPEED

漏源电压(Vdss):1.2kV · 连续漏极电流(Id):68A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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WOLFSPEED

类型:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1.2kV
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