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TO-252 现货结果

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3020

HL(富海微)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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封装TO-252-4L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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XR3050

XNRUSEMI(新锐)

XR3050
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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XR4012

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):25A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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XR3020

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):23A
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封装TO-252-4L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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XR4030

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):30A
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封装TO-252-4L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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XR6020

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):20A
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封装TO-252-4L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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NCE609

NCE(无锡新洁能)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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XR3012

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):12A
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封装TO-252-4L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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XR6030

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):30A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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XR3030

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):30A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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CMD609

Cmos(广东场效应半导体)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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CMD607

Cmos(广东场效应半导体)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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CMD603

Cmos(广东场效应半导体)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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AOD661

AOS

数量:2个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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AOD603A

AOS

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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封装TO-252-4L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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FH4604D

鑫飞宏

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):25A
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封装TO-252-4L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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HSU1641

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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CMD510B

Cmos(广东场效应半导体)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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XR20G10

XNRUSEMI(新锐)

漏源电压(Vdss):100V · 100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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WSF6032

WINSOK(微硕)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):40A
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TO-252-4L
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CMD607A

Cmos(广东场效应半导体)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-252-4L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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CMD607B

Cmos(广东场效应半导体)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):20A
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封装TO-252-4L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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CMD603B

Cmos(广东场效应半导体)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-252-4L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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CMD603A

Cmos(广东场效应半导体)

数量:1个N沟道+1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-252-4L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-4L
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