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TO-252 现货结果

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封装：TO-252-3L
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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HL(富海微)XNRUSEMI(新锐)
封装/规格：
TO-252-3L
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7P20

HL(富海微)

漏源电压(Vdss):200V · 连续漏极电流(Id):7A
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封装TO-252-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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3080K

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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30N03

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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60N02

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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60N03

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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TO-252-3L
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30N02

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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80N02

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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90N06

HL(富海微)

沟槽 · N沟道
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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40N10

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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13P15

HL(富海微)

漏源电压(Vdss):150V · 连续漏极电流(Id):15A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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65N06

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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3095K

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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8N65R

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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XR9N20

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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XR7P20

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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XR8P10

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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S50P06

HL(富海微)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):50A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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S40N10

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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11N65R

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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S25P06

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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TO-252-3L
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XR5N20

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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XR40P02

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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TO-252-3L
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XR45P03

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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XR30N10

XNRUSEMI(新锐)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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