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型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价
11N65R
HL(富海微)
11N65R，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-3L封装，询盘确认库存，特性：超级结技术。 更低的导通电阻×面积性能，以提高导通效率。 由于极低的品质因数，效率更高。 符合JEDEC工业级应用标准。应用：PWM应用。 负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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13P15
HL(富海微)
13P15，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-3L封装，询盘确认库存，工艺:沟槽，类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-150，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-2～-4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):270，连续漏极电流ID(A):-13A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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3080K
HL(富海微)
3080K，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-3L封装，询盘确认库存，特性：100% EAS保证。 超低栅极电荷。 提供环保器件。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：PWM应用。 负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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3095K
HL(富海微)
3095K，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-3L封装，询盘确认库存，特性：100% EAS保证。 超低栅极电荷。 有绿色环保器件可选。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：PWM应用。 负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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30N02
HL(富海微)
30N02，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-3L封装，询盘确认库存，30N02 是高单元密度的沟槽式 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。30N02 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过 EAS 测试，具备完整的功能可靠性认证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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30N03
HL(富海微)
30N03，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-3L封装，询盘确认库存，特性：100% EAS保证。 超低栅极电荷。 有绿色环保器件可供选择。 出色的CdV/dt效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：PWM应用。 负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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40N10
HL(富海微)
40N10，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-3L封装，询盘确认库存，特性：超低栅极电荷。 有环保器件可供选择。 出色的CdV/dt效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：PWM应用。 负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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60N02
HL(富海微)
60N02，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-3L封装，询盘确认库存，60N02是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。60N02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性评估（EAS）保证，具备完整的功能可靠性认证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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60N03
HL(富海微)
60N03，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-3L封装，询盘确认库存，60N03是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。60N03符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整功能且通过可靠性认证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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65N06
HL(富海微)
65N06，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-3L封装，询盘确认库存，65N06是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。65N06符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的功能可靠性认证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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7P20
HL(富海微)
7P20，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-3L封装，询盘确认库存，工艺:沟槽，类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-200，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-2～-4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):645，连续漏极电流ID(A):-7A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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80N02
HL(富海微)
80N02，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-3L封装，询盘确认库存，80N02是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。80N02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性评估（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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8N65R
HL(富海微)
8N65R，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-3L封装，询盘确认库存，N沟道650V快速开关MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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90N06
HL(富海微)
90N06，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-3L封装，询盘确认库存，沟槽；N沟道；耐压:60V；电流:90A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AP13P06D
APM(永源微电子)
AP13P06D，APM(永源微电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-3L封装，询盘确认库存，AP13P06D采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AP15N10D
APM(永源微电子)
AP15N10D，APM(永源微电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-3L封装，询盘确认库存，100V N沟道增强型MOSFET,电流:19.3A,耐压:100V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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AP20N06BD
APM(永源微电子)
AP20N06BD，APM(永源微电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-3L封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术，提供出色的 RDS(ON)，低栅极电荷，并且可以在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AP20P04D
APM(永源微电子)
AP20P04D，APM(永源微电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-3L封装，询盘确认库存，AP20P04D采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AP30N06D
APM(永源微电子)
AP30N06D，APM(永源微电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-3L封装，询盘确认库存，60V N沟道增强型MOSFET,电流:30A,耐压:60V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AP40P04D
APM(永源微电子)
AP40P04D，APM(永源微电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-3L封装，询盘确认库存，AP40P04D采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AP4N65D
APM(永源微电子)
AP4N65D，APM(永源微电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-3L封装，询盘确认库存，650V N沟道增强型MOSFET，可降低传导损耗，改善开关性能。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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AP50N10D
APM(永源微电子)
AP50N10D，APM(永源微电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-3L封装，询盘确认库存，100V N沟道增强型MOSFET,电流:50A,耐压:100V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-3L
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AP5N30D
APM(永源微电子)
AP5N30D，APM(永源微电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-3L封装，询盘确认库存，N沟道,电流:5A,耐压:300V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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TO-252-3L 现货采购说明
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