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2P4M-TO-252

DDF(鼎德丰)

可控硅类型：单向可控硅 · 断态峰值电压（VDRM
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TO-252
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B772-TO-252

DDF(鼎德丰)

晶体管类型：PNP · 集电极电流ICM:-3A 集电极-基极击穿电压BVCBO:-40V 集电极-发射极击
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TO-252
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D882-TO-252

DDF(鼎德丰)

晶体管类型：NPN · 集电极电流ICM:3A 集电极-基极击穿电压BVCBO:40V 集电极-发射极击穿电
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13003-TO-252

DDF(鼎德丰)

集电极电流(Ic):1.5A · 集射极击穿电压(Vceo):480V
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13005-TO-252

DDF(鼎德丰)

晶体管类型：高压NPN · 集电极电流ICM:4A 集电极-基极击穿电压BVCBO:700V 集电极-发射极
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C106D-TO-252

DDF(鼎德丰)

可控硅类型：单向可控硅 · 断态峰值电压（VDRM
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TO-252
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C106M-TO-252

DDF(鼎德丰)

可控硅类型：单向可控硅 · 断态峰值电压（VDRM
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LM317-TO-252

DDF(鼎德丰)

输出类型：可调 · 输出极性：正极 最大输入电压VIN: 40V 输出电压VOUT: 1.2-37V 输出电
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50N06(TO-252)

GOODWORK(固得沃克)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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TO-252
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13003M-TO-252

DDF(鼎德丰)

晶体管类型：高压NPN · 集电极电流ICM:1.2A 集电极-基极击穿电压BVCBO:700V 集电极-发
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13003S-TO-252

DDF(鼎德丰)

晶体管类型：高压NPN · 集电极电流ICM:1A 集电极-基极击穿电压BVCBO:700V 集电极-发射极
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
TO-252
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60N03(TO-252)

GOODWORK(固得沃克)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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TO-252
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X0402M-TO-252

DDF(鼎德丰)

可控硅类型：单向可控硅 · 断态峰值电压（VDRM
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TO-252
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X0405M-TO-252

DDF(鼎德丰)

可控硅类型：单向可控硅 · 断态峰值电压（VDRM
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2SD882(TO-252)

DOWO(东沃)

晶体管类型:NPN · 集电极电流(Ic):3A
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三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)
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BT134-600-TO-252

DDF(鼎德丰)

可控硅类型：双向可控硅 · 断态峰值电压（VDRM
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封装TO-252 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 晶闸管(可控硅)/模块
TO-252
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BT134S-600-TO-252

DDF(鼎德丰)

可控硅类型：双向可控硅 · 断态峰值电压（VDRM
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封装TO-252 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 晶闸管(可控硅)/模块
TO-252
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AMS1117-ADJ(TO-252)

TDSEMIC(拓电半导体)

输出类型:可调 · 工作电压:15V
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电源与功率 / 线性稳压器(LDO)
TO-252
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AMS1117-3.3(TO-252)

TDSEMIC(拓电半导体)

输出类型:固定 · 工作电压:15V
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电源与功率 / 线性稳压器(LDO)
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4N50

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):500V
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9N20

HL(富海微)

漏源电压(Vdss):200V · 连续漏极电流(Id):9A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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5N20

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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2P4M

YONGYUTAI(永裕泰)

玻璃钝化、塑料封装的灵敏栅极晶闸管 · 适用于通用开关和相位控制应用
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三极管/MOS管/晶体管 / 晶闸管(可控硅)/模块
TO-252
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7905

YFW(佑风微)

输出类型:固定 · 工作电压:30V
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电源与功率 / 线性稳压器(LDO)
TO-252
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