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封装：TO-252
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品牌：
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型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价
KND3080
KIA
漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):80A
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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SL20N03
Slkor(萨科微)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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AP2055K
ALLPOWER(铨力)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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AOD442G
AOS
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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TX40N06B
XDS(芯鼎盛)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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AP30N04K
ALLPOWER(铨力)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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G050P03K
GOFORD(谷峰)
数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MSD60P16
Bruckewell(隽佾)
漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):16A
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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AOD66920
AOS
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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AOD66923
AOS
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MSD60N50
Bruckewell(隽佾)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
封装TO-252
可供数量询盘确认
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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SK20N06A
SHIKUES(时科)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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YJD50N03A
YANGJIE(扬杰)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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JMTK3003A
JJW(捷捷微)
漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):150A
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MSD60N085
Bruckewell(隽佾)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MSD100N25
Bruckewell(隽佾)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MSD100P12
Bruckewell(隽佾)
数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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LQA10N150C
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
二极管配置:1对共阴极 · 正向压降(Vf):1.1V@5A
封装TO-252
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二极管 / 通用二极管
TO-252
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LQA20N150C
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
二极管配置:1对共阴极 · 正向压降(Vf):1.15V@10A
封装TO-252
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二极管 / 通用二极管
TO-252
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MSD200N120
Bruckewell(隽佾)
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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TTD85N03AT
无锡紫光微
数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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LQA10N200C
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
LQA10N200C
封装TO-252
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二极管 / 通用二极管
TO-252
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LQA20N200C
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
LQA20N200C
封装TO-252
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二极管 / 通用二极管
TO-252
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TTD30P03AT
无锡紫光微
数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
封装TO-252
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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