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4N50

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):500V
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封装TO-252 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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9N20

HL(富海微)

漏源电压(Vdss):200V · 连续漏极电流(Id):9A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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5N20

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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5N50

JUXING(钜兴)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):500V
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7N50

JUXING(钜兴)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):500V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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5N65

KUU

漏源电压(Vdss):650V · 连续漏极电流(Id):5A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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4N60

TF(拓锋)

MOS管
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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30N06

UMW(友台半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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30P06

HL(富海微)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):30A
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40N06

UMW(友台半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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40P30

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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30N10

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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40P03

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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20P06

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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30P03

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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1N65L

UMW(友台半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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50P02

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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50P03

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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40P04

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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25P10

HL(富海微)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):25A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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90N03

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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20P03

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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70P03

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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封装TO-252 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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40P02

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-252 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-252
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