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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
TI(德州仪器)minos(迈诺斯)OSEN(欧芯)
封装/规格：
TO-247TO-247AC-3
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IRFP240

minos(迈诺斯)

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IRFP450

minos(迈诺斯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):500V
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IRFP141

TI(德州仪器)

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IRFP151

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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IRFP152

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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IRFP153

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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IRFP243

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):150V
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IRFP245

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):250V
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IRFP246

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):275V
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IRFP251

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):150V
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IRFP341

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):350V
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IRFP351

TI(德州仪器)

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IRFP352

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):400V
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IRFP362

TI(德州仪器)

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IRFP451

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):450V
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IRFP462

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):500V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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IRFPG42

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):1kV
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IRFP250N

minos(迈诺斯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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IRFP260N

minos(迈诺斯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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IRFP4468

minos(迈诺斯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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IRFP4227

minos(迈诺斯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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IRFP140R

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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TO-247
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IRFP142R

TI(德州仪器)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247
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IRFP450PBF

OSEN(欧芯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):500V
状态现货可下单批号批号 25+,23+起订按需交期核对后发
封装TO-247AC-3 可供数量35,056 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-247AC-3
35,056
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