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MOSFET 现货结果

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7N65

luJing(鲁晶)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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8850

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):88V · 连续漏极电流(Id):50A
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4N65

luJing(鲁晶)

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5N60

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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30N20

GOODWORK(固得沃克)

漏源电压(Vdss):200V · 连续漏极电流(Id):30A
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11N10

GOFORD(谷峰)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):110A
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8680A

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):82V
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68N75

TF(拓锋)

68N75
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NTE66

NTE Electronics

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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NTE67

NTE Electronics

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):400V
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IRF840

OSEN(欧芯)

漏源电压(Vdss):500V · 连续漏极电流(Id):9A
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AP1310

ALLPOWER(铨力)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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AOT470

AOS

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):75V
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80N07T

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):70V
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80N06T

HL(富海微)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):80A
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CMP630

Cmos(广东场效应半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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RC7N65

RealChip(正芯半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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CMP482

Cmos(广东场效应半导体)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):80V
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IRF740

minos(迈诺斯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):400V
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MP5N50

minos(迈诺斯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):500V
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MP3205

minos(迈诺斯)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):55V
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TO-220
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AP3205

ALLPOWER(铨力)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):55V
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H50P06

Huixin(慧芯)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):50A
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TO-220
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IRF640

Slkor(萨科微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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封装TO-220 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
TO-220
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