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封装:SOT-502A
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BLA0912-250R
Ampleon(安谱隆)
漏源电压(Vdss):75V · 连续漏极电流(Id):45A三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-502A
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BLA1011-200
Ampleon(安谱隆)
漏源电压(Vdss):75V · 连续漏极电流(Id):10A三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-502A
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BLA8G1011L-300GU
Ampleon(安谱隆)
漏源电压(Vdss):65V · 导通电阻(RDS(on)):79mΩ@5.55V三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-502A
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BLA8G1011L-300U
Ampleon(安谱隆)
漏源电压(Vdss):65V · 导通电阻(RDS(on)):79mΩ@3.75V三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-502A
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BLA8H0910L-500U
Ampleon(安谱隆)
漏源电压(Vdss):114.5V · 耗散功率(Pd):500W三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-502A
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BLA9G1011L-300GU
Ampleon(安谱隆)
漏源电压(Vdss):65V · 阈值电压(Vgs(th)):2.5V@330mA三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-502A
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BLA9G1011L-300U
Ampleon(安谱隆)
漏源电压(Vdss):65V · 阈值电压(Vgs(th)):2.5V@330mA三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-502A
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BLA9H0912L-250U
Ampleon(安谱隆)
漏源电压(Vdss):106V · 阈值电压(Vgs(th)):2.5V@200mA三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-502A
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BLA9H0912L-700GU
Ampleon(安谱隆)
耗散功率(Pd):700W · 阈值电压(Vgs(th)):2.5V@400mA三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-502A
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BLA9H0912L-700U
Ampleon(安谱隆)
漏源电压(Vdss):106V · 导通电阻(RDS(on)):60mΩ@Vgs(th)+3.75V三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-502A
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BLF0910H6L500U
Ampleon(安谱隆)
漏源电压(Vdss):114.5V · 导通电阻(RDS(on)):78mΩ@5.65V三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-502A
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BLF2425M8L140J
Ampleon(安谱隆)
漏源电压(Vdss):65V · 导通电阻(RDS(on)):69mΩ@3.75V三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-502A
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BLF2425M8L140U
Ampleon(安谱隆)
漏源电压(Vdss):65V · 耗散功率(Pd):140W三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-502A
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BLF573,112
Ampleon(安谱隆)
漏源电压(Vdss):110V · 连续漏极电流(Id):42A三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-502A
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BLF6G20-110,112
NXP(恩智浦)
连续漏极电流(Id):29A · 阈值电压(Vgs(th)):2.4V@150mA三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-502A
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BLF7G10L-250,112
NXP(恩智浦)
耗散功率(Pd):60W · 阈值电压(Vgs(th)):2.3V@330mA三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-502A
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BLL1214-250
Rochester Electronics(罗彻斯特)
漏源电压(Vdss):75V · 连续漏极电流(Id):45A三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-502A
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