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MOSFET 现货结果

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5P40

GOFORD(谷峰)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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3P10

HL(富海微)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):3A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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6005

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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5N10

YONGYUTAI(永裕泰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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2317

TF(拓锋)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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2333

TF(拓锋)

漏源电压(Vdss):15V · 连续漏极电流(Id):6A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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2369

TF(拓锋)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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3407

TF(拓锋)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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3422

HL(富海微)

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):3A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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3N10L

HL(富海微)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):2.5A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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40N05

HL(富海微)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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20P07

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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1P15L

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):150V
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4N10L

HL(富海微)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):4A
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3P06L

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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3400L

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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封装SOT-23-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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SI2319

KUU

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):4.4A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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20P09L

HL(富海微)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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封装SOT-23-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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FS3415

FOSAN(富捷/富信)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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AP2310

ALLPOWER(铨力)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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QN3400

QNHCHIP(乾能惠)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):5.8A
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HX3407

HX(恒佳兴)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):4A
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SOT-23-3L
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06N06L

GOFORD(谷峰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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封装SOT-23-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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AS6004

AnBon(安邦)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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封装SOT-23-3L 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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