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HUASHUO(华朔) 现货库存

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HUASHUO(华朔) 现货结果

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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
HUASHUO(华朔)
封装/规格：
SOT-223
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结果货架 当前页 18 行 / 共 18 个 搜索：HUASHUO(华朔) / 封装：SOT-223
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

HSL6107

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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HSL3002

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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HSL3P20

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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HSL0107

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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封装SOT-223 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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HSL6115

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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HSL0004

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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HSL2N15

HUASHUO(华朔)

漏源电压(Vdss):150V · 连续漏极电流(Id):2A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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HSL1N25

HUASHUO(华朔)

漏源电压(Vdss):250V · 连续漏极电流(Id):1A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HSL4113

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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HSL6101

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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HSL3103

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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HSL2P25

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):250V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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HSL0115

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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HSL3N10

HUASHUO(华朔)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):3.5A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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HSL6008

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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HSL10N06

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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HSL10P06

HUASHUO(华朔)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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SOT-223
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HSL03N20

HUASHUO(华朔)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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