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封装:PQFN-3
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TPH3208LDG

Transphorm

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
询盘确认可单次提交
封装PQFN-3 可供数量询盘确认 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PQFN-3
询盘确认
询盘报价

TP65H070LDG-TR

Transphorm

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
询盘确认可单次提交
封装PQFN-3 可供数量询盘确认 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PQFN-3
询盘确认
询盘报价

TP65H150G4LSG-TR

Transphorm

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
询盘确认可单次提交
封装PQFN-3 可供数量询盘确认 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PQFN-3
询盘确认
询盘报价