公开现货
ALD 现货结果
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当前结果已经带上 封装：PDIP-16，再从品牌、封装和类目里收窄会更快。
封装：PDIP-16
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ALD2321PCL
ALD
输入偏置电流(Ib):20pA · 共模抑制比(CMRR):80dB
封装PDIP-16
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运算放大器/比较器 / 比较器
PDIP-16
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ALD2321APCL
ALD
比较器数:双路 · 输入失调电压(Vos):200uV
封装PDIP-16
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运算放大器/比较器 / 比较器
PDIP-16
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ALD2321BPCL
ALD
输入偏置电流(Ib):20pA · 共模抑制比(CMRR):80dB
封装PDIP-16
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运算放大器/比较器 / 比较器
PDIP-16
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ALD110800PCL
ALD
数量:4个N沟道 · 漏源电压(Vdss):10.6V
封装PDIP-16
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDIP-16
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ALD110802PCL
ALD
数量:4个N沟道 · 漏源电压(Vdss):10.6V
封装PDIP-16
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDIP-16
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ALD110804PCL
ALD
数量:4个N沟道 · 漏源电压(Vdss):10V
封装PDIP-16
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDIP-16
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ALD110808PCL
ALD
数量:4个N沟道 · 漏源电压(Vdss):10V
封装PDIP-16
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDIP-16
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ALD110814PCL
ALD
数量:4个N沟道 · 漏源电压(Vdss):10V
封装PDIP-16
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDIP-16
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ALD114804PCL
ALD
数量:4个N沟道 · 漏源电压(Vdss):10.6V
封装PDIP-16
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDIP-16
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ALD114813PCL
ALD
数量:4个N沟道 · 漏源电压(Vdss):10.6V
封装PDIP-16
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDIP-16
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ALD114835PCL
ALD
数量:4个N沟道 · 漏源电压(Vdss):10.6V
封装PDIP-16
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDIP-16
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ALD210800PCL
ALD
数量:4个N沟道 · 漏源电压(Vdss):10V
封装PDIP-16
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDIP-16
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ALD210802PCL
ALD
数量:4个N沟道 · 连续漏极电流(Id):80mA
封装PDIP-16
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDIP-16
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ALD210804PCL
ALD
数量:4个N沟道 · 连续漏极电流(Id):70mA
封装PDIP-16
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDIP-16
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ALD210808PCL
ALD
数量:4个N沟道 · 漏源电压(Vdss):10V
封装PDIP-16
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDIP-16
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ALD210814PCL
ALD
数量:4个N沟道 · 漏源电压(Vdss):10.6V
封装PDIP-16
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDIP-16
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ALD310700PCL
ALD
数量:4个P沟道 · 漏源电压(Vdss):8V
封装PDIP-16
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDIP-16
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ALD310702PCL
ALD
数量:4个P沟道 · 漏源电压(Vdss):8V
封装PDIP-16
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDIP-16
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ALD310704PCL
ALD
数量:4个P沟道 · 漏源电压(Vdss):8V
封装PDIP-16
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
PDIP-16
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