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吉林华微 现货结果

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封装：DPAK
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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
吉林华微
封装/规格：
DPAK
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型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

JCS3910R

吉林华微

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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JCS730RC

吉林华微

漏源电压(Vdss):400V · 连续漏极电流(Id):5.5A
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JCS2N60RC

吉林华微

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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JCS4N80RC

吉林华微

漏源电压(Vdss):800V · 连续漏极电流(Id):4A
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JCS4N60RB

吉林华微

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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JCS4N60RC

吉林华微

漏源电压(Vdss):600V · 连续漏极电流(Id):4A
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JCS4N65RB

吉林华微

JCS4N65RB
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JCS4N65RC

吉林华微

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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JCS4N65RE

吉林华微

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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JCS50N06RH

吉林华微

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):50A
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JCS7HN65RC

吉林华微

JCS7HN65RC
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JS65R600RU

吉林华微

JS65R600RU
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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JCS3910R-DPAK

吉林华微

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DPAK
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JCS4N65RC-DPAK

吉林华微

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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JCS2N65RC-DPAK

吉林华微

漏源电压(Vdss):650V · 连续漏极电流(Id):2A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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JCS4N60RB-DPAK

吉林华微

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):600V
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JCS5N50RC-DPAK

吉林华微

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):500V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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JCS6N70RC-DPAK

吉林华微

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):700V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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JCS7HN60RC-DPAK

吉林华微

漏源电压(Vdss):600V · 连续漏极电流(Id):7A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DPAK
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JCS640RH-O-R-N-A

吉林华微

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):200V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DPAK
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