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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
KIA
封装/规格：
DFN-8
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型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价

KIA50N06CY

KIA

漏源电压(Vdss):60V · 连续漏极电流(Id):50A
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封装DFN-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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KNY8104A

KIA

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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KNG8104A

KIA

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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KPY3203D

KIA

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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KCY3310A

KIA

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):85A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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KNY6610A

KIA

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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KNY3303C

KIA

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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KNG3303C

KIA

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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KPY6115A

KIA

漏源电压(Vdss):150V · 连续漏极电流(Id):10A
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KCY3008A

KIA

漏源电压(Vdss):85V · 连续漏极电流(Id):100A
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KNG3703A

KIA

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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KNY3004B

KIA

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):120A
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KCY3406B

KIA

KCY3406B
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KCY3303S

KIA

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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KCY2704B

KIA

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):160A
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KNY2803A

KIA

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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KNY3403B

KIA

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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封装DFN-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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KCY1804A

KIA

KCY1804A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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KCY2704A

KIA

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):150A
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封装DFN-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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KNG3403C

KIA

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):80A
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封装DFN-8 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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KNY2904A

KIA

KNY2904A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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KNY3403C

KIA

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):80A
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DFN-8
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KNY3903A

KIA

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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KPY3404A

KIA

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):40V
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DFN-8
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