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TO-252 三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块 现货库存

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TO-252 三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块 现货结果

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封装：TO-252类目：三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
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结果货架 当前页 24 行 / 共 40 个 封装：TO-252 / 类目：三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
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AOD5B65M1

AOS

集射极击穿电压(Vces):650V · 集电极电流(Ic):10A
状态现货可下单批号批号 21+起订按需交期核对后发
封装TO-252 可供数量7,000 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-252
7,000
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STGD18N40LZT4

ST(意法半导体)

集射极击穿电压(Vces):420V · 集电极电流(Ic):30A
状态现货可下单批号批号 21+起订按需交期核对后发
封装TO-252 可供数量44,650 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-252
44,650
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STGD5H60DF

ST(意法半导体)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):600V
状态现货可下单批号批号 22+,18+起订按需交期核对后发
封装TO-252 可供数量30,000 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-252
30,000
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AOD5B65MQ1E

AOS

集射极击穿电压(Vces):650V · 集电极电流(Ic):10A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-252 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-252
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AOD5B65N1

AOS

集射极击穿电压(Vces):650V · 集电极电流(Ic):10A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-252
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AOD6B65MQ1E

AOS

AOD6B65MQ1E
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-252
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AOD7B65M3

AOS

MOSFET
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-252
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AOD8B65MQ1

AOS

AOD8B65MQ1
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-252
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BIDD05N60T

Bourns

BIDD05N60T
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-252
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CGU06N65F2SA

CJ(江苏长电/长晶)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-252
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CGU06N65F2SAA

CJ(江苏长电/长晶)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
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CMD5B65D

Cmos(广东场效应半导体)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):650V
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三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-252
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FGD2736G3-F085

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):360V · 集电极电流(Ic):21A
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FGD2N40L

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):400V · 集电极电流(Ic):7A
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FGD3325G2-F085

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):250V · 集电极电流(Ic):41A
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FGD3N60LSDTM-T-FS

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):600V · 耗散功率(Pd):40W
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FGD3N60UNDF

onsemi(安森美)

IGBT类型:NPT(非穿通型) · 集射极击穿电压(Vces):600V
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FGD5T120SH

onsemi(安森美)

IGBT类型:FS(场截止) · 集射极击穿电压(Vces):1.2kV
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GN2470K4-G

Microchip(美国微芯)

集射极击穿电压(Vces):700V · 耗散功率(Pd):2.5W
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H6B65M

Huixin(慧芯)

集射极击穿电压(Vces):650V · 集电极电流(Ic):12A
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TO-252
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HGTD10N40F1S

TI(德州仪器)

集射极击穿电压(Vces):400V · 集电极电流(Ic):12A
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HGTD3N60C3S9A

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):600V · 集电极电流(Ic):6A
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ISL9V3036D3S

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):360V · 集电极电流(Ic):21A
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封装TO-252 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-252
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ISL9V3036D3ST

onsemi(安森美)

集射极击穿电压(Vces):360V · 集电极电流(Ic):21A
状态清单询价批号批号确认起订按需交期询盘确认
封装TO-252 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块
TO-252
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