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类目:三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
类目:三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD) 结果较多,先缩小范围
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类目
品牌
封装 / 规格
Zhengxin(正芯) / Littelfuse(美国力特) / R+O(宏嘉诚) / SCME(晟驰微)SMD / DFN-10 / MSOP-8 / DFN-10L / ON
型号 / 品牌 / 参数类目封装规格可供数量报价
1.5SMC200A
Zhengxin(正芯)
1.5SMC200A,Zhengxin(正芯),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SMD封装,6,000件现货,采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SMD
6,000
询盘报价
1.5SMC24CA
Littelfuse(美国力特)
1.5SMC24CA,Littelfuse(美国力特),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SMD封装,3,000件现货,采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SMD
3,000
询盘报价
1.5SMC300A
R+O(宏嘉诚)
1.5SMC300A,R+O(宏嘉诚),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SMD封装,3,000件现货,1.5SMC系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SMD
3,000
询盘报价
1.5SMC350A
SCME(晟驰微)
1.5SMC350A,SCME(晟驰微),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SMD封装,3,000件现货,工规TVS 保护器件 防静电 响应速度快三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SMD
3,000
询盘报价
1.5SMC39CA
Littelfuse(美国力特)
1.5SMC39CA,Littelfuse(美国力特),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SMD封装,1,000件现货,采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SMD
1,000
询盘报价
AOZ8804ADI
AOS
AOZ8804ADI,AOS,三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-10封装,30,000件现货,是一款瞬态电压抑制器阵列,旨在保护高速数据线(如HDMI、USB 3.0、MDDI、SATA和千兆以太网)免受破坏性ESD事件的影响。该器件在单个封装中集成了八个浪涌额定、低电容转向二极管和一个TVS。在瞬态条件下,转向二极管将三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-10
30,000
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CDSOD323-T08C
Leiditech(雷卯电子)
CDSOD323-T08C,Leiditech(雷卯电子),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SMD封装,12,000件现货,特性:超低泄漏:nA级别。工作电压:8V。低钳位电压。符合以下标准: 。IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试 。空气放电:±30kV 。应用:USB端口。SIM端口三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SMD
12,000
询盘报价
CM1214A-02MR
onsemi(安森美)
CM1214A-02MR,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),MSOP-8封装,12,000件现货,CM1214A ESD 保护器用于保护双极信号线免受静电放电 (ESD) 的影响。CM1214A 可在信号电平高达 ±5V 的高速环境中运行。较低的亚1pF 负载电容使 CM1214A-01SO 非常适合用于三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
MSOP-8
12,000
询盘报价
CS0806S
Silergy(矽力杰)
CS0806S,Silergy(矽力杰),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-10L封装,3,000件现货,USB2.0电源和数据线保护三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-10L
3,000
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ESD5481MUT5G
onsemi(安森美)
ESD5481MUT5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),ON封装,260,000件现货,ESD5481旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,为易受ESD影响的设计提供了同类最佳的保护。由于其尺寸小巧,适用于手机、MP3播放器、数码相机和许多其他对电路板空三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
ON
260,000
询盘报价
ESDA17-5SC6
ST(意法半导体)
ESDA17-5SC6,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-23-6封装,14,306件现货,用于ESD保护的Transil 阵列三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23-6
14,306
询盘报价
ESDA18-1K
ST(意法半导体)
ESDA18-1K,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOD-523封装,21,000件现货,充电器和电池端口的EOS和ESD Transil 保护三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
21,000
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ESDBE24VD1
CJ(江苏长电/长晶)
ESDBE24VD1,CJ(江苏长电/长晶),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOD-123FL封装,30,000件现货,ESDBE24VD1三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-123FL
30,000
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ESDCAN04-2BLY
ST(意法半导体)
ESDCAN04-2BLY,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-23-3封装,178,000件现货,汽车用双线TVS,SOT23-3L封装,用于CAN总线(12 V系统)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23-3
178,000
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ESDL2011PFCT5G
onsemi(安森美)
ESDL2011PFCT5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DSN2封装,60,000件现货,ESDL2011旨在保护需要低电容的电压敏感元件,使其免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间,使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。由于其三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DSN2
60,000
询盘报价
ESDL4151MX4T5G
onsemi(安森美)
ESDL4151MX4T5G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),N封装,16,000件现货,ESDL4151旨在保护需要低电容的电压敏感元件,使其免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间,使这些器件非常适合用于电路板空间有限的设计中的ESD保护。由于其电容较三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
N
16,000
询盘报价
ESDLIN1524BJ
ST(意法半导体)
ESDLIN1524BJ,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOD-323封装,12,000件现货,Transil ,用于ESD保护的瞬态浪涌电压抑制器三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
12,000
询盘报价
GBLC05-LF-T7
PROTEK
GBLC05-LF-T7,PROTEK,三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOD-323封装,1,300件现货,VBR=6V,Vc=9.8V,Cd=3pF 单向三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
1,300
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HDMIULC6-4SC6
ST(意法半导体)
HDMIULC6-4SC6,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-23-6封装,15,588件现货,超大带宽ESD保护三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23-6
15,588
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HSP061-4NY8
ST(意法半导体)
HSP061-4NY8,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),UQFN-8封装,18,680件现货,高速线路的4线ESD保护三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
UQFN-8
18,680
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MMBZ10VALT116
ROHM(罗姆)
MMBZ10VALT116,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-23封装,40,000件现货,MMBZ10VALT116三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23
40,000
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MMBZ27VCL,215
Nexperia(安世)
MMBZ27VCL,215,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-23-3封装,30,000件现货,VBR=27V,Vc=38V,Ipp=1A 双向三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23-3
30,000
询盘报价
MMBZ6V8AL,215
Nexperia(安世)
MMBZ6V8AL,215,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-23封装,30,000件现货,采用共阳极配置的单向双静电放电(ESD)保护二极管,封装于SOT23(TO - 236AB)小型表面贴装器件(SMD)塑料封装中。这些器件用于对多达两条信号线进行ESD和瞬态过电压保护。三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23
30,000
询盘报价
NIV1161MTTAG
onsemi(安森美)
NIV1161MTTAG,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD),WDFN6封装,9,000件现货,NIS/NIV1161旨在保护高速数据线免受静电放电(ESD)影响,并防止其与汽车电池发生短路。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案,而低导通电阻(RDS(on))场效应晶三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
WDFN6
9,000
询盘报价
PROCUREMENT CONTEXT
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD) 现货采购说明
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