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MCC(美微科) 现货库存

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MCC(美微科) 现货结果

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封装：SOT-23类目：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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类目：
场效应管(MOSFET)
品牌：
MCC(美微科)
封装/规格：
SOT-23
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BSS84-TP

MCC(美微科)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):50V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SI2310-TP

MCC(美微科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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SI3402-TP

MCC(美微科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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SI3407-TP

MCC(美微科)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SI2301-TP

MCC(美微科)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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BSS84K-TP

MCC(美微科)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SI2319-TP

MCC(美微科)

漏源电压(Vdss):40V · 连续漏极电流(Id):3.5A
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SI5618-TP

MCC(美微科)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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SI2392-TP

MCC(美微科)

漏源电压(Vdss):100V · 连续漏极电流(Id):3A
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SI2303-TP

MCC(美微科)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):3A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
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SI3099-TP

MCC(美微科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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BSS84A-TP

MCC(美微科)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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SI2302-TP

MCC(美微科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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SI2304-TP

MCC(美微科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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SI2312-TP

MCC(美微科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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2N7002-TP

MCC(美微科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):60V
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SI2333-TP

MCC(美微科)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):12V
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SI3415-TP

MCC(美微科)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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BSS138-TP

MCC(美微科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):50V
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SOT-23
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SI2306-TP

MCC(美微科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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SI2305-TP

MCC(美微科)

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):8V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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BSS123-TP

MCC(美微科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):100V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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SI8810-TP

MCC(美微科)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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SI0301-TP

MCC(美微科)

漏源电压(Vdss):30V · 连续漏极电流(Id):500mA
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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