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DFN-3 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货库存

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DFN-3 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 现货结果

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封装:DFN-3类目:三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AON1605

AOS

数量:1个P沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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封装DFN-3 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3
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AON1606

AOS

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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封装DFN-3 可供数量询盘确认 起订按需 报价方式询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3
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CJBB3134K

CJ(江苏长电/长晶)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3
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CMT2001EY

iCM(创芯微)

漏源电压(Vdss):20V · 连续漏极电流(Id):1A
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3
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ME7114S

MATSUKI(松木)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3
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PJQ1902_R1_00001

PANJIT(强茂)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):30V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3
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RV1C002UNT2CL

ROHM(罗姆)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3
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YJA3134KB

YANGJIE(扬杰)

数量:1个N沟道 · 漏源电压(Vdss):20V
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三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)
DFN-3
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