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TSP10N60M Truesemi(信安) 现货与BOM询价

TSP10N60M,Truesemi(信安),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-220封装,询盘确认库存,特性:采用先进的平面条纹 DMOS 技术。 低导通电阻。 优越的开关性能。 能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 最大电流 10.0A,电压 600V,RDS(on)=0.8Ω(VGS = 10V 时)。 低栅极电荷(典型值

MPN
TSP10N60M
品牌/制造商
Truesemi(信安)
封装
TO-220
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/TSP10N60M
公开引用边界

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