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TSA18N50MD Truesemi(信安) 现货与清单询价

TSA18N50MD,Truesemi(信安),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-3P封装,询盘确认库存,特性:采用先进的平面条纹 DMOS 技术。 最大限度地降低导通电阻。 提供卓越的开关性能。 能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 18.0A, 500V 最大。 RDS(on) = 0.37Ω @ VGS = 10V。 低栅极

MPN
TSA18N50MD
品牌/制造商
Truesemi(信安)
封装
TO-3P
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/TSA18N50MD
公开内容边界

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