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TSA18N50MD Truesemi(信安) 现货与清单询价
TSA18N50MD,Truesemi(信安),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-3P封装,询盘确认库存,特性:采用先进的平面条纹 DMOS 技术。 最大限度地降低导通电阻。 提供卓越的开关性能。 能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 18.0A, 500V 最大。 RDS(on) = 0.37Ω @ VGS = 10V。 低栅极
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- Truesemi(信安)
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