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TK10A60D(STA4,Q,M) TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价
TK10A60D(STA4,Q,M)，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.58Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 6.0S（典型值）。 低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 600V)。 增强模式：Vt
- MPN
- TK10A60D(STA4,Q,M)
- 品牌/制造商
- TOSHIBA(东芝)
- 封装
- TO-220F-3
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/TK10A60D(STA4%2CQ%2CM)