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PESD3V3Z1BSFYL-N BORN(伯恩半导体) 现货与清单询价
PESD3V3Z1BSFYL-N，BORN(伯恩半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-0603-2封装，询盘确认库存，特性：40W峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 Snap-Back技术。 低钳位电压。应用：USB 3.0, USB 2.0, MHL
- MPN
- PESD3V3Z1BSFYL-N
- 品牌/制造商
- BORN(伯恩半导体)
- 封装
- DFN-0603-2
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/PESD3V3Z1BSFYL-N