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MMBT3906FA-7B DIODES(美台) 现货与清单询价
MMBT3906FA-7B,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),DFN封装,询盘确认库存,特性:BVCEO > -40V。 IC = -200mA 高集电极电流。 PD = 435mW 功率耗散。 0.48mm² 封装尺寸,比 SOT23 小 16 倍。 0.4mm 封装高度,最小化板外轮廓。 互补 NPN 型 MMBT39
- MPN
- MMBT3906FA-7B
- 品牌/制造商
- DIODES(美台)
- 封装
- DFN
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/MMBT3906FA-7B
