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ME35N06-G MATSUKI(松木) 现货与BOM询价
ME35N06-G,MATSUKI(松木),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252-3L封装,询盘确认库存,ME35N06 - G 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用,如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路,并且适用
- MPN
- ME35N06-G
- 品牌/制造商
- MATSUKI(松木)
- 封装
- TO-252-3L
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/ME35N06-G
