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KNB2803T KIA 现货与BOM询价
KNB2803T,KIA,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-263封装,询盘确认库存,特性:先进的沟槽技术。 低导通电阻:RDS(ON) = 2.4 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V。 超低栅极电荷。 环保器件。 出色的CdV/dt效应抑制。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试
- MPN
- KNB2803T
- 品牌/制造商
- KIA
- 封装
- TO-263
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/KNB2803T
