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KNB2803T KIA 现货与BOM询价

KNB2803T,KIA,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-263封装,询盘确认库存,特性:先进的沟槽技术。 低导通电阻:RDS(ON) = 2.4 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V。 超低栅极电荷。 环保器件。 出色的CdV/dt效应抑制。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试

MPN
KNB2803T
品牌/制造商
KIA
封装
TO-263
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/KNB2803T
公开引用边界

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