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KNB2803C KIA 现货与BOM询价
KNB2803C,KIA,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-263封装,询盘确认库存,特性:先进的沟槽技术。 RDS(ON)=2.0mΩ(典型值),VGS = 10V。 超低栅极电荷。 有绿色环保器件可供选择。 出色的CdV/dt效应抑制能力。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试
- MPN
- KNB2803C
- 品牌/制造商
- KIA
- 封装
- TO-263
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/KNB2803C
