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HV10N1H0SG R+O(宏嘉诚) 现货与清单询价
HV10N1H0SG,R+O(宏嘉诚),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-89封装,询盘确认库存,特性:VDS = 100V。I₀ = 3.4A。RDS(on)@VGS = 10V < 100mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 130mΩ。雪崩能量测试。快速开关速度。应用:电池保护。负载开关
- MPN
- HV10N1H0SG
- 品牌/制造商
- R+O(宏嘉诚)
- 封装
- SOT-89
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/HV10N1H0SG
