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HD12N20L Huixin(慧芯) 现货与清单询价

HD12N20L,Huixin(慧芯),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252封装,询盘确认库存,N沟道,漏源电压:200V,连续漏极电流:9A,导通电阻:0.28Ω@10V,耗散功率:55W,MOSFET产品,ESD防护。

MPN
HD12N20L
品牌/制造商
Huixin(慧芯)
封装
TO-252
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HD12N20L
公开内容边界

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