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H15N65D Huixin(慧芯) 现货与清单询价
H15N65D,Huixin(慧芯),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-252封装,询盘确认库存,N沟道,漏源电压:650V,连续漏极电流:15A,导通电阻:260mΩ@10V,耗散功率:131W,MOSFET产品,ESD防护。
- MPN
- H15N65D
- 品牌/制造商
- Huixin(慧芯)
- 封装
- TO-252
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/H15N65D
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