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C3M0350120J WOLFSPEED 现货与清单询价

C3M0350120J，WOLFSPEED，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7封装，询盘确认库存，特性：第三代碳化硅（SiC）MOSFET技术。 带驱动源极引脚的低阻抗封装。 漏极和源极之间的爬电距离为7mm。 高阻断电压和低导通电阻。 低电容的高速开关。 具有低反向恢复(Qrr)的快速本征二极管。应用：可再生能源。