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ASW65R041EFDA ANHI(安海) 现货与BOM询价

ASW65R041EFDA,ANHI(安海),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-247封装,询盘确认库存,特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.035Ω(典型值)。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 3 至 5V。应用:软开关升压PFC开关。 HB或AHB或LLC半桥和全桥拓扑

MPN
ASW65R041EFDA
品牌/制造商
ANHI(安海)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/ASW65R041EFDA
公开引用边界

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