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NTH4L045N065SC1 onsemi(安森美) 现货与清单询价

NTH4L045N065SC1,onsemi(安森美),碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET),TO-247-4L封装,询盘确认库存,特性:典型导通电阻:在VGS = 18V时为33mΩ;在VGS = 15V时为45mΩ。 超低栅极电荷 (QG(tot) = 105 nC)。 低电容高速开关 (Cₒₛₛ = 162 pF)。 100%雪崩测

MPN
NTH4L045N065SC1
品牌/制造商
onsemi(安森美)
封装
TO-247-4L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/NTH4L045N065SC1
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